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申请/专利权人：通威微电子有限公司

摘要：本发明的实施例提供了一种气动补料长晶设备和方法，涉及长晶设备技术领域。气动补料长晶设备包括单向阀、送粉器、第一气体支路、第二气体支路和旁通支路；单向阀安装在坩埚的底部，送粉器通过管路连接到单向阀、且与坩埚的内部连通，第一气体支路和第二气体支路均连接到送粉器、用于分别向送粉器中通入氩气和氮气，送粉器中用于装入硅粉，送粉器中的硅粉在氩气或氮气的冲力作用下补入到坩埚内，第一气体支路和第二气体支路输入的气体可通过旁通支路越过送粉器进入坩埚；该设备和方法能够在长晶过程中向坩埚内补入硅粉，改善坩埚内碳与硅的浓度比，提高长晶的良率，还能够使碳化硅粉末原料利用率提高，减少原料浪费。

主权项：1.一种气动补料长晶设备，其特征在于，所述气动补料长晶设备包括工艺腔体1、加热器3、抽真空组件、坩埚4、单向阀7、送粉器8、第一气体支路9、第二气体支路10和旁通支路11；所述单向阀7安装在所述坩埚4的底部，所述送粉器8通过管路14连接到所述单向阀7、且与所述坩埚4的内部连通，所述坩埚4内用于盛装碳化硅粉末20；所述第一气体支路9和所述第二气体支路10均连接到所述送粉器8，所述第一气体支路9用于向所述送粉器8中通入氩气，所述第二气体支路10用于向所述送粉器8中通入氮气，所述送粉器8中用于装入硅粉，所述送粉器8中的硅粉在氩气或氮气的冲力作用下补入到所述坩埚4内；所述旁通支路11的一端连接到所述第一气体支路9和所述第二气体支路10，所述旁通支路11的另一端连接到所述送粉器8的输出一侧的管路14上，所述第一气体支路9和所述第二气体支路10输入的气体可通过所述旁通支路11越过所述送粉器8进入所述坩埚4；所述坩埚4和所述加热器3设置在所述工艺腔体1内，所述加热器3用于调节所述坩埚4内的温度，所述抽真空组件连接到所述工艺腔体1，所述抽真空组件用于调节所述工艺腔体1内的真空度；所述第一气体支路9包括依次连接的第一气体流量控制器91和第一气动阀92，所述第二气体支路10包括依次连接的第二气体流量控制器101和第二气动阀102，所述旁通支路11包括第三气动阀111；所述送粉器8的入口处设置有第四气动阀12，所述第一气体支路9和所述第二气体支路10的输出端均连接到所述第四气动阀12的入口端，所述旁通支路11的入口端连接到所述第四气动阀12的入口端；所述送粉器8的出口处设置有第五气动阀13，所述旁通支路11的出口端连接到所述第五气动阀13的出口端；所述第五气动阀13与所述坩埚4之间的管路14上还设置有第六气动阀141。

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