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申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司
摘要：公开了3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。依次形成在衬底上的牺牲层、在牺牲层上的第一停止层、在第一停止层上的具有N阱的P型掺杂半导体层、以及在P型掺杂半导体层上的介电堆叠层。形成各自垂直地延伸穿过介电堆叠层和P型掺杂半导体层、在第一停止层处停止的多个沟道结构。利用存储堆叠层替换介电堆叠层，使得多个沟道结构中的每个沟道结构垂直地延伸穿过存储堆叠层和P型掺杂半导体层。依次去除衬底、牺牲层和第一停止层，以暴露多个沟道结构中的每个沟道结构的端部。形成与多个沟道结构的端部接触的导电层。
主权项：1.一种用于形成三维3D存储器件的方法，包括：依次形成在衬底上的牺牲层、在所述牺牲层上的第一停止层、在所述第一停止层上的具有N阱的P型掺杂半导体层、以及在所述P型掺杂半导体层上的介电堆叠层；形成各自垂直地延伸穿过所述介电堆叠层和所述P型掺杂半导体层、在所述第一停止层处停止的多个沟道结构；利用存储堆叠层替换所述介电堆叠层，使得所述多个沟道结构中的每个沟道结构垂直地延伸穿过所述存储堆叠层和所述P型掺杂半导体层；依次去除所述衬底、所述牺牲层和所述第一停止层，以暴露所述多个沟道结构中的每个沟道结构的端部；以及形成与所述多个沟道结构的所述端部接触的导电层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于形成三维存储器件的方法
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