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申请/专利权人：浙江大学杭州国际科创中心
摘要：本发明涉及超导芯片技术领域，特别涉及一种约瑟夫森结制备方法。包括：提供具有图案的超导量子芯片底电极，在底电极表面形成双层胶层，利用同一约瑟夫森结硬模具进行纳米压印、显影形成下切区域，形成第一约瑟夫森结图形和第二约瑟夫森结图形，沉积、氧化后形成第一金属层、绝缘层和第二金属层，除去双层胶层，第一约瑟夫森结图形、第二约瑟夫森结图形相交的位置形成约瑟夫森结。本发明利用同一约瑟夫森结硬模具定义同一超导量子芯片上的所有约瑟夫森结图案，使得所有的约瑟夫森结图案相同；同时，沉积金属时由于具有双层胶层的遮挡，避免了金属层与光刻胶层粘附在一起，难以剥离或者剥离不彻底的现象，进一步提升约瑟夫森结的均匀、一致的性质。
主权项：1.一种约瑟夫森结制备方法，其特征在于，包括：提供具有图案的超导量子芯片底电极；在所述具有图案的超导量子芯片底电极表面形成双层胶层；利用约瑟夫森结硬模具对表面具有双层胶层的超导量子芯片底电极进行纳米压印工艺，形成约瑟夫森结图案，所述约瑟夫森结图案包括第一约瑟夫森结图形和第二约瑟夫森结图形；将纳米压印工艺后的超导量子芯片底电极进行显影，使得纳米压印部分形成下切区域；在显影后的第一约瑟夫森结图形位置形成第一金属层、绝缘层，在第二约瑟夫森结图形位置形成第二金属层；除去所述双层胶层，第一约瑟夫森结图形、第二约瑟夫森结图形相交的位置形成约瑟夫森结，其中，所述双层胶层通过旋涂工艺形成；所述双层胶层包括剥离胶层和纳米压印胶层，所述剥离胶层形成于具有图案的超导量子芯片底电极表面，所述纳米压印胶层形成于所述剥离胶层表面。
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百度查询： 浙江大学杭州国际科创中心 一种约瑟夫森结制备方法
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