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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：一种三维半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括单元阵列区域和连接区域，所述衬底包括形成在所述连接区域上的虚设沟槽；电极结构，所述电极结构位于所述衬底上并且包括在所述连接区域上具有阶梯结构竖直堆叠的电极；虚设绝缘结构，所述虚设绝缘结构设置在所述虚设沟槽中，所述虚设绝缘结构包括与所述衬底和所述电极结构间隔开的蚀刻停止图案；单元沟道结构，所述单元沟道结构设置在所述单元阵列区域上，并且穿过所述电极结构且与所述衬底接触；以及虚设沟道结构，所述虚设沟道结构设置在所述连接区域上，并且穿过所述电极结构和所述虚设绝缘结构的一部分且与所述蚀刻停止图案接触。
主权项：1.一种三维半导体存储器件，所述三维半导体存储器件包括：衬底，所述衬底包括单元阵列区域和连接区域，所述衬底包括位于所述连接区域上的虚设沟槽；电极结构，所述电极结构设置在所述衬底上并且包括在所述连接区域上具有阶梯结构的竖直堆叠的电极；虚设绝缘结构，所述虚设绝缘结构设置在所述虚设沟槽中，所述虚设绝缘结构包括与所述衬底和所述电极结构间隔开的蚀刻停止图案；单元沟道结构，所述单元沟道结构设置在所述单元阵列区域上，所述单元沟道结构穿过所述电极结构并且与所述衬底接触；以及虚设沟道结构，所述虚设沟道结构设置在所述连接区域上，所述虚设沟道结构穿过所述电极结构和所述虚设绝缘结构的一部分并且与所述蚀刻停止图案接触。
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