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申请/专利权人:希奥检测有限公司
摘要:一种用于制造集成微机电系统MEMS换能器设备的方法,该方法包括向衬底主体1提供表面、在该表面上沉积蚀刻停止层ESL8、在该ESL8上沉积牺牲层3、在该牺牲层3上沉积隔膜层6、以及去除牺牲层3。沉积牺牲层3包括沉积第一材料的第一子层4和沉积第二材料的第二子层5,其中第一材料和第二材料是不同的材料。
主权项:1.一种用于制造集成微机电系统MEMS换能器设备的方法,所述方法包括-提供具有表面的衬底主体(1);-在所述表面上沉积蚀刻停止层ESL(8);-在所述ESL(8)上沉积牺牲层(3);-在所述牺牲层(3)上沉积隔膜层(6);以及-使用蒸气氢氟酸vHF或水基HF酸作为释放式蚀刻剂去除所述牺牲层(3);其中-沉积牺牲层(3)包括沉积第一材料的第一子层(4)和沉积第二材料的第二子层(5),其中所述第一子层(4)沉积在所述ESL(8)上,并且所述第二子层(5)沉积在所述第一子层(4)上;-所述第一材料和所述第二材料是电介质;以及-所述第一材料和所述第二材料是不同的材料,其中所述第一材料的特征在于与所述第二材料相比,其水分含量更低和或其密度更高。
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权利要求:
百度查询: 希奥检测有限公司 用于制造集成MEMS换能器设备的方法和集成MEMS换能器设备
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