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申请/专利权人：希奥检测有限公司
摘要：一种用于制造集成微机电系统MEMS换能器设备的方法，该方法包括向衬底主体1提供表面、在该表面上沉积蚀刻停止层ESL8、在该ESL8上沉积牺牲层3、在该牺牲层3上沉积隔膜层6、以及去除牺牲层3。沉积牺牲层3包括沉积第一材料的第一子层4和沉积第二材料的第二子层5，其中第一材料和第二材料是不同的材料。
主权项：1.一种用于制造集成微机电系统MEMS换能器设备的方法，所述方法包括-提供具有表面的衬底主体（1）；-在所述表面上沉积蚀刻停止层ESL（8）；-在所述ESL（8）上沉积牺牲层（3）；-在所述牺牲层（3）上沉积隔膜层（6）；以及-使用蒸气氢氟酸vHF或水基HF酸作为释放式蚀刻剂去除所述牺牲层（3）；其中-沉积牺牲层（3）包括沉积第一材料的第一子层（4）和沉积第二材料的第二子层（5），其中所述第一子层（4）沉积在所述ESL（8）上，并且所述第二子层（5）沉积在所述第一子层（4）上；-所述第一材料和所述第二材料是电介质；以及-所述第一材料和所述第二材料是不同的材料，其中所述第一材料的特征在于与所述第二材料相比，其水分含量更低和或其密度更高。
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权利要求：
百度查询： 希奥检测有限公司 用于制造集成MEMS换能器设备的方法和集成MEMS换能器设备
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