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申请/专利权人：安建科技有限公司
摘要：一种改善芯片切割形变的晶圆结构，涉及半导体技术领域，改善芯片切割形变的晶圆结构，本实用新型通过在所述的外围区域内的半导体层中设有至少一段围绕所述的器件区的第一类沟槽和至少一段位于围绕所述的第一类沟槽且与之平行的第二类沟槽，其中所述的第二类沟槽位于第二钝化层边缘的下方，所述的第二钝化层向下延伸至所述的第二类沟槽内，来解决了芯片切割形变的问题，增加器件生产的良率和使用过程中的可靠性。
主权项：1.一种改善芯片切割形变的晶圆结构，所述的晶圆分为器件区、包围所述的器件区的外围区域以及切割道区域，所述的晶圆包括有位于底部的下表面金属层、位于下表面金属层上方的半导体层、位于半导体层上表面的隔离层、位于隔离层上方的上表面金属层，位于上表面金属层上方的第一钝化层，以及位于第一钝化层上方的第二钝化层，其特征在于，在所述的外围区域内的半导体层中设有至少一段围绕所述的器件区的第一类沟槽和至少一段位于围绕所述的第一类沟槽且与之平行的第二类沟槽，所述的第二类沟槽位于第二钝化层边缘的下方，所述的第二钝化层向下延伸至所述的第二类沟槽内。
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百度查询： 安建科技有限公司 一种改善芯片切割形变的晶圆结构
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