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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：有源区，形成在衬底上；位线，在第一方向上延伸并且通过穿过有源区而形成在衬底的内部，其中位线在基本上垂直于第一方向的第二方向上以第一间隔形成；字线，通过穿过有源区而形成在衬底的内部，并且在第二方向上在位线下方延伸，其中字线在第一方向上以第二间隔形成；接触结构，形成在有源区上并与位线相邻，其中接触结构包括金属层和粘合层；以及电容器结构，形成在接触结构上，其中有源区在相对于第一方向具有特定斜率的第三方向上倾斜。
主权项：1.一种半导体器件，包括：有源区，形成在衬底上；位线，在第一方向上延伸并且通过穿过所述有源区而形成在所述衬底的内部，其中所述位线在基本上垂直于所述第一方向的第二方向上以第一间隔形成；字线，通过穿过所述有源区而形成在所述衬底的内部，并且在所述第二方向上在所述位线下方延伸，其中所述字线在所述第一方向上以第二间隔形成；接触结构，形成在所述有源区上并与所述位线相邻，其中所述接触结构包括金属层和粘合层；以及电容器结构，形成在所述接触结构上，其中，所述有源区在相对于所述第一方向具有特定斜率的第三方向上倾斜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 包括掩埋单元阵列晶体管结构的半导体器件及其制造方法
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