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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。在实施例中，半导体器件包括：夹在第一间隔部件与第二间隔部件之间并与第一间隔部件和第二间隔部件接触的栅极结构，该第一间隔部件的顶表面和该第二间隔部件的顶表面在栅极结构的顶表面上方延伸；位于该第一间隔部件和该第二间隔部件上方的栅极自对准接触SAC介电部件；位于栅极SAC介电部件上方的接触蚀刻停止层CESL；位于CESL上方的介电层；栅极接触部件，延伸穿过介电层、CESL、栅极SAC介电部件并且处于第一间隔部件和第二间隔部件之间以与栅极结构接触；以及设置在第一间隔部件与栅极接触部件之间的衬垫。
主权项：1.一种半导体器件，包括：栅极结构，夹在第一间隔部件与第二间隔部件之间并与所述第一间隔部件和所述第二间隔部件接触，所述第一间隔部件的顶表面和所述第二间隔部件的顶表面在所述栅极结构的顶表面上方延伸；栅极自对准接触介电部件，位于所述第一间隔部件和所述第二间隔部件上方；接触蚀刻停止层，位于所述栅极自对准接触介电部件上方；介电层，处于所述接触蚀刻停止层上方；栅极接触部件，延伸穿过所述介电层、所述接触蚀刻停止层、所述栅极自对准接触介电部件，并且位于所述第一间隔部件与所述第二间隔部件之间以与所述栅极结构接触；以及衬垫，设置在所述第一间隔部件与所述栅极接触部件之间，其中，所述栅极自对准接触介电部件与所述第一间隔部件和所述第二间隔部件的顶表面接触。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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