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申请/专利权人：深圳市铂科新材料股份有限公司;惠州铂科实业有限公司
摘要：本发明属于碳化硅技术领域，公开了一种碳化硅连续长晶设备及碳化硅连续长晶的方法，碳化硅连续长晶设备包括固定轴、旋转升降机构、合成室、长晶室、热处理室、真空系统和调温系统。真空系统和调温系统为每一道工序提供所需要的压强和温度。合成室、长晶室和热处理室均设于固定轴，可实现单一设备即可完成碳化硅晶体生长的三道工序，节省占地面积以及加工成本。合成室能与长晶室连通；长晶室能与热处理室连通，坩埚能通过旋转升降机构进入每一道工序的腔室内，使得每一道工序形成的半成品能连续地进入下一道工序，简化了加工过程，节省人力，提高生产效率。
主权项：1.一种碳化硅连续长晶设备，其特征在于，用于将坩埚100内的碳化硅原材料生成为碳化硅长晶后的产品，所述碳化硅连续长晶设备包括：固定轴1；合成室2，所述合成室2设于所述固定轴1；长晶室3，所述长晶室3设于所述固定轴1；热处理室4，所述热处理室4设于所述固定轴1，所述合成室2与所述热处理室4形成的整体和所述长晶室3其中之一转动设置于所述固定轴1，所述热处理室4和所述合成室2位于同一水平高度；所述合成室2能与所述长晶室3连通；所述热处理室4能与所述长晶室3连通；旋转升降机构5，所述旋转升降机构5被配置为能带动所述坩埚100沿第一方向Z于所述合成室2和所述长晶室3之间移动，或于所述长晶室和所述热处理室4之间移动；真空系统6，所述真空系统6用于调节所述合成室2、所述长晶室3和所述热处理室4内的气体压强；调温系统7，所述调温系统7用于调节所述合成室2、所述长晶室3和所述热处理室4内的温度。
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