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申请/专利权人：江苏赛威德电子材料有限公司
摘要：本发明公开一种改性RB‑SiC陶瓷，包括改性RB‑SiC陶瓷基体和SiC涂层；其中，改性RB‑SiC陶瓷基体由α‑SiC相、β‑SiC相和游离Si组成，在改性RB‑SiC陶瓷基体的截面照片中α‑SiC相与β‑SiC相的比例为3:7‑7:3，游离Si在改性RB‑SiC陶瓷基体中的体积占比小于1%；SiC涂层的厚度为1‑100μm。还公开了一种上述改性RB‑SiC陶瓷的制备方法，步骤如下：高纯RB‑SiC分别于1500℃‑1700℃和1900℃‑2100℃进行真空热处理；将热处理完成的RB‑SiC陶瓷加工出所需尺寸形状；用混合酸溶液将RB‑SiC陶瓷进行酸洗，然后用纯净水进行漂洗；分别通过正反向强制对流CVI工艺在RB‑SiC陶瓷的内部孔隙中沉积SiC进行增密，使用CVD工艺，在RB‑SiC陶瓷表面沉积出SiC涂层。本发明的改性RB‑SiC陶瓷孔隙率显著降低，高温下力学性能明显提升，可以在1400摄氏度以上的环境中正常使用。
主权项：1.一种改性RB-SiC陶瓷，可在1400摄氏度以上环境中使用，其特征在于：包括改性RB-SiC陶瓷基体和SiC涂层；所述改性RB-SiC陶瓷基体由α-SiC相、β-SiC相和游离Si组成，在所述改性RB-SiC陶瓷基体的截面照片中所述α-SiC相与所述β-SiC相的比例为3:7-7:3，所述游离Si在所述改性RB-SiC陶瓷基体中的体积占比小于1%；所述SiC涂层的厚度为1-100μm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏赛威德电子材料有限公司 一种改性RB-SiC陶瓷及其制备方法
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