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申请/专利权人：南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心

摘要：本发明公开了一种优化正反导通特性的SiCMOSFET及其制造方法，包括：漏极；衬底；外延层；第一栅槽；第二栅槽；体槽；第一阱区；第一源区，第一阱区和第一源区形成正向导电沟道C1；第二阱区；第二源区，第二阱区和第二源区在形成正向导电沟道C6；第三阱区；第三源区，第三阱区与第三源区分别在靠近第一栅槽和第二栅槽侧壁处形成正向导电沟道C2和C4；第四源区，第三阱区和第四源区分别在靠近体槽两侧壁处形成反向导电沟道C3和C4；接触区；第一绝缘层；第二绝缘层；第三绝缘层；第一导电体；第二导电体；第三导电体；第一隔离介质；第二隔离介质；源极；本发明可以提升SiCMOSFET反向导通特性。

主权项：1.一种优化正反导通特性的SiCMOSFET，其特征在于，包括：漏极；衬底，位于漏极之上；外延层，位于衬底之上；第一栅槽，位于外延层之中；第二栅槽，位于外延层之中；体槽，位于外延层之中、第一栅槽和第二栅槽之间，且第一栅槽和第二栅槽关于体槽对称设置；第一阱区，位于第一栅槽远离体槽一侧的侧面及底面；第一源区，位于第一阱区之中，且位于第一栅槽远离体槽一侧的侧面及部分底面，第一源区的宽度和深度均小于第一阱区，第一阱区和第一源区在第一栅槽底部形成正向导电沟道C1；第二阱区，位于第二栅槽远离体槽一侧的侧面及底面；第二源区，位于第二阱区之中，且位于第二栅槽远离体槽一侧的侧面及部分底面，第二源区的宽度和深度均小于第二阱区，第二阱区和第二源区在第二栅槽的底部形成正向导电沟道C6；第三阱区，位于第一栅槽与体槽、体槽与第二栅槽之间，第三阱区的深度小于第一栅槽、第二栅槽和体槽的深度；第三源区，位于第三阱区之中靠近第一栅槽和第二栅槽的一侧，第三源区的深度小于第三阱区的深度，第三阱区与第三源区分别在靠近第一栅槽和第二栅槽侧壁处形成正向导电沟道C2和C5；第四源区，位于第三阱区之中靠近体槽的一侧，第四源区的深度小于第三阱区的深度，第三阱区和第四源区分别在靠近体槽的两侧壁处形成反向导电沟道C3和C4；接触区，分别位于第一阱区之中、第二阱区之中和第三阱区之中；第一绝缘层，位于第一栅槽的侧壁及底部；第二绝缘层，位于第二栅槽的侧壁及底部；第三绝缘层，位于体槽的侧壁及底部；第一导电体，位于第一栅槽之中；第二导电体，位于第二栅槽之中；第三导电体，位于体槽之中；第一隔离介质，位于外延层之上且完全覆盖第一导电体；第二隔离介质，位于外延层之上且完全覆盖第二导电体；源极，位于第一隔离介质和第二隔离介质之上且将两者三面包围。

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