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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本发明提供一种基于多层PCB板的2.5D封装SiCMOS开关模块，包括：芯片组、PCB基板、绑定线、均压组件、正极端子、负极端子；PCB基板包括多层导电层与多层绝缘层按照交替叠加的方式布置，各导电层按照指定间距从上至下依次包括高压层、栅极层、栅极地层和回流层；芯片组包括多个芯片，芯片的栅电极通过绑定线与栅极层连接，辅助源极通过绑定线与栅极地层连接，芯片的源极通过绑定线与高压层连接，回流层的一端通过绑定线与芯片组连接，另一端与负极端子连接，正极端子和负极端子接入功率回路的电流后，通过均压组件将回路电压均分至芯片组中各个芯片。本发明具有结构简单、导通速度快等优点，能够有效降低开关模块寄生电感。
主权项：1.一种基于多层PCB板的2.5D封装SiCMOS开关模块，其特征在于，包括：SiCMOS芯片组101、绑定线102、PCB基板103、均压组件104以及正极端子105、负极端子106；所述PCB基板103包括多层导电层和多层绝缘层，各所述导电层按照指定间距从上至下依次包括高压层209、栅极层203、栅极地层207和回流层210，各层所述导电层与各层所述绝缘层按照交替叠加的方式布置；所述SiCMOS芯片组101包括多个SiCMOS芯片205，SiCMOS芯片205的栅电极通过绑定线102与所述栅极层203连接，辅助源极通过绑定线102与所述栅极地层207连接，SiCMOS芯片205的源极通过绑定线102与下一级高压层铜箔连接，所述回流层的一端通过绑定线102与所述SiCMOS芯片组101连接，所述回流层的另一端与所述负极端子106连接，所述正极端子105和负极端子106接入功率回路的电流后，通过所述均压组件104将回路电压均分至所述SiCMOS芯片组101中各个芯片。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 基于多层PCB板的2.5D封装SiC MOS开关模块
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