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申请/专利权人：南京大学
摘要：本发明公开了一种倒序分离吸收倍增型AlGaN金刚石异质结日盲紫外雪崩光电探测器，其结构自下而上依次包括：金刚石衬底、p型金刚石层、AlN缓冲层、i型AlyGa1‑yN倍增层、n型AlyGa1‑yN分离层、i型AlxGa1‑xN吸收层和n型AlxGa1‑xN层；在n型AlxGa1‑xN层上引出n型欧姆电极，在p型金刚石层上引出p型欧姆电极。并公开了其制备方法。本发明形成倒序n‑i‑n‑i‑p结构SAM型日盲雪崩紫外探测器，利用离化系数更高的空穴进行碰撞离化，在保持高雪崩倍增因子的同时，降低雪崩探测器在雪崩击穿时的过剩噪声，有助于提高雪崩探测器的日盲紫外探测性能。
主权项：1.一种倒序分离吸收倍增型AlGaN金刚石异质结日盲紫外雪崩光电探测器，其特征在于其结构自下而上依次包括：金刚石衬底、p型金刚石层、AlN缓冲层、i型AlyGa1-yN倍增层、n型AlyGa1-yN分离层、i型AlxGa1-xN吸收层和n型AlxGa1-xN层；在n型AlxGa1-xN层上引出n型欧姆电极，在p型金刚石层上引出p型欧姆电极；x和y的取值范围：0.46≤x≤0.91，0.5≤y≤0.96。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京大学 倒序分离吸收倍增型AlGaN/金刚石异质结日盲紫外雪崩光电探测器及其制备方法
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