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申请/专利权人：三星显示有限公司

摘要：本发明公开一种去除激光晶化突起的装置，根据一实施例的去除激光晶化突起的装置包括：第一旋转板，布置有包括多晶硅层的显示面板；第二旋转板，与所述第一旋转板相向，并研磨所述多晶硅层的激光晶化突起；研磨监视部，与所述第二旋转板连接，并与所述第二旋转板一起旋转；以及分光器，连接于所述研磨监视部。

主权项：1.一种去除激光晶化突起的装置，其特征在于，包括：第一旋转板，布置有包括多晶硅层的显示面板；第二旋转板，与所述第一旋转板相向，并研磨所述多晶硅层的激光晶化突起；第二支撑台，连接于所述第二旋转板；研磨监视部，与所述第二旋转板连接，并与所述第二旋转板一起旋转；固定支撑台，将所述第二支撑台与所述研磨监视部相互固定；分光器，连接于所述研磨监视部；以及浆料供应部，连接于所述第二支撑台，并向所述第一旋转板供应浆料，其中，所述固定支撑台包括：主支撑台；以及辅助支撑台，从所述主支撑台延伸而与所述研磨监视部重叠，并且，所述浆料供应部包括：浆料药液部，贴附于所述第二支撑台；浆料喷嘴部，连接于所述浆料药液部；引导部，连接所述浆料药液部和所述浆料喷嘴部，并引导所述浆料药液部的升降，所述引导部贯通所述辅助支撑台的孔。

全文数据：去除激光晶化突起的装置技术领域本发明涉及一种去除激光晶化突起的装置及方法。背景技术通常，将非晶硅层AmorphousSiliconLayer晶化为多晶硅层Poly-crystalSiliconLayer的方法有固相晶化法SolidPhaseCrystallization，SPC、金属诱导晶化法MetalInducedCrystallization，MIC、金属诱导侧向晶化法MetalInducedLateralCrystallization，MILC、准分子激光退火法ExcimerLaserAnnealing，ELA等。尤其，在制造有机发光显示装置OrganicLightEmittingdisplay，OLED或液晶显示装置LiquidCrystalDisplay，LCD的工艺中，通常使用利用激光束将非晶硅晶化为多晶硅的准分子激光退火法ELA。但是，在利用准分子激光退火法ELA的激光晶化装置来扫描对象基板而对于对象薄膜进行晶化的情况下，在晶界grainboundary产生预料之外的突起。这种突起会影响多晶硅层的特性，因此需要被去除。发明内容本实施例的目的在于提供一种能够实时监视研磨工序，且能够缩短工序时间的去除激光晶化突起的装置及方法。根据本实施例的去除激光晶化突起的装置包括：第一旋转板，布置有包括多晶硅层的显示面板；第二旋转板，与所述第一旋转板相向，并研磨所述多晶硅层的激光晶化突起；研磨监视部，与所述第二旋转板连接，并与所述第二旋转板一起旋转；以及分光器，连接于所述研磨监视部。还可以包括：第二支撑台，连接于所述第二旋转板；以及固定支撑台，将所述第二支撑台与所述研磨监视部相互固定。还可以包括：吸附垫，位于所述第一旋转板上，并将所述显示面板固定；以及研磨垫，位于所述第二旋转板上，并与所述显示面板相向。所述固定支撑台可以包括：主支撑台；以及辅助支撑台，从所述主支撑台延伸而与所述研磨监视部重叠。所述研磨监视部可以包括：光源；收光部，与所述光源相隔而布置，所述光源位于所述辅助支撑台的一侧，所述收光部位于所述辅助支撑台的另一侧。还可以包括：偏光器，位于所述光源的出口。还可以包括：浆料供应部，连接于所述第二支撑台，并向所述第一旋转板供应浆料。所述浆料供应部可以包括：浆料药液部，贴附于所述第二支撑台；浆料喷嘴部，连接于所述浆料药液部；喷嘴头，连接于所述浆料喷嘴部，并与所述第一旋转板相邻地布置；引导部，连接所述浆料药液部和所述浆料喷嘴部，并引导所述浆料药液部的升降。所述引导部可以贯通所述辅助支撑台的孔。所述分光器可以贴附于所述第二支撑台。还可以包括设置于所述研磨监视部的空气喷射器。并且，根据另一实施例的去除激光晶化突起的装置可以包括：第一旋转板，布置有包括多晶硅层的显示面板；第二旋转板，与所述第一旋转板相向，并研磨所述多晶硅层的激光晶化突起；光源，位于所述第二旋转板；收光部，与所述第一旋转板相邻地布置；以及分光器，与所述收光部连接，所述第二旋转板可以在与所述光源对应的位置具有第一穿过孔。还可以包括：吸附垫，位于所述第一旋转板上，并将所述显示面板固定；以及研磨垫，位于所述第二旋转板上，并与所述显示面板相向。所述研磨垫可以在与所述第一穿过孔对应的位置具有第二穿过孔。所述收光部可以插入于所述吸附垫而布置。还可以包括位于所述光源的出口的偏光器。并且，根据另一实施例的去除激光晶化突起的方法包括如下步骤：利用包括第一旋转板、与所述第一旋转板相向的第二旋转板、与所述第二旋转板连接且与所述第二旋转板一起旋转的研磨监视部、以及连接于所述研磨监视部的分光器的去除激光晶化突起的装置的所述研磨监视部而测量包括多晶硅层的显示面板的第一反射光谱；利用布置有所述显示面板的第一旋转板以及布置有与所述显示面板相向的研磨垫的第二旋转板来研磨所述多晶硅层的激光晶化突起；在所述多晶硅层的一部分暴露于外部的情况下，利用与所述第二旋转板一起旋转的所述研磨监视部而测量所述多晶硅层的第二反射光谱；以及比较所述第一反射光谱和所述第二反射光谱而产生研磨终止信号。所述多晶硅层的一部分暴露于外部的情况可以包括所述多晶硅层的一部分不与所述第二旋转板重叠的情况。所述去除激光晶化突起的装置还可以包括：浆料供应部，向所述第一旋转板供应浆料。所述浆料供应部可以包括：浆料药液部，存储浆料；浆料喷嘴部，连接于所述浆料药液部而与所述第一旋转板相邻地布置，在研磨所述多晶硅层的激光晶化突起的步骤中，所述浆料药液部可以上升而与所述第二旋转板相邻地布置。还包括向所述第一旋转板供应所述浆料的步骤，在供应所述浆料的步骤中，所述浆料药液部可以下降而与所述浆料喷嘴部连结。根据本实施例，可以不用为了监视激光晶化突起的研磨程度而在研磨垫形成专门的孔，也无须为了监视激光晶化突起的研磨程度而将显示面板移动至另外的位置，因此可以缩短工序时间。附图说明图1是根据一实施例的去除激光晶化突起的装置的示意图。图2是图1的详细的侧视图。图3是图1的详细的正面图。图4是图3的固定支撑台的详细的平面图。图5是示出利用根据一实施例的去除激光晶化突起的装置的研磨监视部测量反射光谱时的第一旋转板、第二旋转板、显示面板及研磨监视部的示意性的平面图。图6是依次说明根据一实施例的去除激光晶化突起的方法的流程图。图7是根据另一实施例的去除激光晶化突起的装置的示意图。图8是根据另一实施例的去除激光晶化突起的装置的示意图。图9是图8的A部分的放大图。符号说明100：第一旋转板200：第二旋转板300：研磨监视部400：分光器具体实施方式以下，参照附图对本发明的多种实施例进行说明，以使本发明所属技术领域中具有基本知识的人员能够容易实施。本发明能够以多种不同的形态实现，而不限于在此说明的实施。为了明确地说明本发明，省略了与说明无关的部分，且在整个说明书中对于相同或类似的构成要素赋予相同的附图符号。并且，为了便于说明而将附图中示出的各构成的大小及厚度任意地示出，因此本发明不必局限于图示内容。以下，参照附图对根据本实施例的去除激光晶化突起的装置进行详细说明。图1是根据一实施例的去除激光晶化突起的装置的示意图，图2是图1的详细的侧视图，图3是图1的详细的正面图。如图1至图3所示，根据一实施例的去除激光晶化突起的装置包括：第一旋转板100；第二旋转板200，与第一旋转板100相向且能够旋转；研磨监视部300，与第二旋转板200连接，并与第二旋转板200一起旋转；以及分光器400，与研磨监视部300连接。第一旋转板100通过第一旋转轴110连接于第一支撑台120。并且，第二旋转板200通过第二旋转轴210连接于第二支撑台220。在第一旋转板100上布置有吸附垫130，在吸附垫130上布置有包括多晶硅层11的显示面板10。显示面板10通过吸附垫130固定于第一旋转板100。在第二旋转板200的两面中的与吸附垫130相向的面布置有研磨垫230。研磨垫230借助第二旋转板200的旋转而旋转，并将形成于显示面板10的多晶硅层11的激光晶化突起12研磨而去除。多晶硅层11可以借助利用准分子激光退火法ELA的激光晶化装置未示出而被晶化。第一旋转板100及第二旋转板200是圆板形状，但不必局限于此，而可以是多种形状。并且，在本实施例中，示出了第一旋转板100具有大于第二旋转板200的直径的情形，但不必局限于此，也可以是第二旋转板200具有大于第一旋转板100的直径的实施例。第一旋转板100及第二旋转板200可以向相同的方向旋转或向相反的方向旋转。此时，第二旋转板200在旋转的同时，可以以预定角度振动Oscillation。在第二支撑台220与研磨监视部300之间布置有将第二支撑台220与研磨监视部300彼此固定的固定支撑台500、510。图4是图3的固定支撑台的详细的平面图。如图4所示，固定支撑台500、510可以包括主支撑台500以及从主支撑台500延伸而与研磨监视部300重叠的辅助支撑台510。这种辅助支撑台510具有孔311。研磨监视部300可以包括：光源310，向多晶硅层11照射光；以及收光部320，与光源310相隔而布置，并检测通过多晶硅层11的光。光源310可以以辅助支撑台510的孔311为基准而布置在辅助支撑台510的一侧，收光部320可以以辅助支撑台510的孔311为基准而布置在辅助支撑台510的另一侧。这种研磨监视部300的结构不限于上述实施例，而可以是能够测量根据多晶硅层11的波长的反射光谱的多样的结构。在这种光源310的出口可以布置有偏光器800。这种偏光器800可以通过使光偏振而在收光部320更容易地测量反射光谱。图5是示出利用根据一实施例的去除激光晶化突起的装置的研磨监视部测量反射光谱时的第一旋转板、第二旋转板、显示面板及研磨监视部的示意性的平面图。如图5所示，在第一旋转板100和第二旋转板200旋转的研磨工序中，研磨监视部300与第二旋转板200一起旋转，因此可以实时监视显示面板10的多晶硅层11的研磨程度。即，第二旋转板200的一部分不与显示面板10重叠，从而显示面板10被暴露于外部的情况下，可以使研磨监视部300直接向显示面板10的多晶硅层11照射光而分析反射光谱，因此不需要用于监视研磨的专门的时间，从而可以缩短工序时间。另外，如图1至图3所示，还可以设置有浆料供应部600，所述浆料供应部600连接于第二支撑台220并向第一旋转板100供应浆料。浆料供应部600可以包括浆料药液部610、浆料喷嘴部620、喷嘴头nozzletip630以及引导部640。浆料药液部610可以存储浆料slurry，并贴附于第二支撑台220。浆料喷嘴部620连接于浆料药液部610，并且可以与第二旋转板200相邻地布置。喷嘴头630连接于浆料喷嘴部620，从而可以延伸至第一旋转板100的上表面。引导部640具有多个线型形状，并将浆料药液部610和浆料喷嘴部620垂直地连接。这种引导部640可以引导浆料药液部610的升降。引导部640可以贯通辅助支撑台510的孔311。因此，浆料药液部610可以沿着引导部640而以贯通辅助支撑台510的孔311的方式升降。因此，在研磨多晶硅层11的激光晶化突起12的步骤中，浆料药液部610上升而与第二旋转板200相邻地布置，在向第一旋转板100供应浆料的步骤中，浆料药液部610可以下降而与浆料喷嘴部620连结。因此，在研磨工序中，与第二旋转板200一起旋转的研磨监视部300和浆料供应部600可以在彼此不干涉的情况下进行研磨监视工序和浆料供应工序，因此可以缩短工序时间。分光器400可以包括光谱型椭偏仪SpectroscopicEllipsometer。光谱型椭偏仪SpectroscopicEllipsometer可以通过检测入射到多晶硅层11的作为偏振波的P波及S波的相位差及振幅的变化而测量基于波长的透射光谱或反射光谱。并且，如图1所示，在研磨监视部300可以布置有空气喷射部700。这种空气喷射部700可以去除残留于显示面板10上的浆料，从而使研磨监视部300更准确地测量反射光谱。对于利用根据一实施例的去除激光晶化突起的装置的去除激光晶化突起的方法在下文中进行详细说明。图6是依次说明根据一实施例的去除激光晶化突起的方法的流程图。如图6所示，根据一实施例的去除激光晶化突起的方法中，首先利用研磨监视部300而测量包括多晶硅层11的显示面板10的第一反射光谱S10。第一反射光谱成为基准光谱。然后，利用布置有显示面板10的第一旋转板100和布置有与显示面板10相向的研磨垫230的第二旋转板200而将多晶硅层11的激光晶化突起12研磨S20。随着研磨工序的进行，激光晶化突起12变小，从而多晶硅层11的性能得到提高。然后，在多晶硅层11的一部分暴露于外部的情况下，利用与第二旋转板200一起旋转的研磨监视部300测量多晶硅层11的第二反射光谱S30。这种第二反射光谱的测量重复多次。然后，比较第一反射光谱和第二反射光谱而产生研磨终止信号。并且，将研磨终止信号发送至第一旋转板100及第二旋转板200而停止研磨工序。在研磨多晶硅层11的激光晶化突起12的步骤中，浆料药液部610上升而与第二旋转板200相邻地布置，在向第一旋转板100供应浆料的步骤中，浆料药液部610可以下降而与浆料喷嘴部620连结。因此，在研磨工序中，与第二旋转板200一起旋转的研磨监视部300和浆料供应部600可以在不彼此干涉的情况下进行研磨监视工序和浆料供应工序，因此可以缩短工序时间。另外，在上述一实施例中，比较了研磨前的多晶硅层11的第一反射光谱和研磨后的多晶硅层11的第二反射光谱，但不必局限于此。即，还可以实现为将研磨工序中的多晶硅层11的依次测量的第二反射光谱进行相互比较而设定研磨终止时间点的其他实施例。另外，在上述一实施例中，分光器和第二支撑台分离地布置，但也可以实现为分光器直接贴附于第二支撑台而一起移动的其他实施例。以下，参照图7对根据另一实施例的去除激光晶化突起的装置进行详细的说明。图7是根据另一实施例的去除激光晶化突起的装置的示意图。在图7中示出的另一实施例中，相比于图1至图5中示出的一实施例，除了分光器的位置以外实质上相同，因此省略重复的说明。如图7所示，根据另一实施例的去除激光晶化突起的装置的分光器400贴附于第二支撑台220。因此，分光器400与一同贴附于第二支撑台220的研磨监视部300一起旋转，所以可以防止分光器400与研磨监视部300彼此干涉。另外，在所述一实施例中，研磨监视部的光源与收光部以显示面板为基准而布置在相同的方向，但也可以实现为光源和收光部以显示面板为基准而位于彼此不同的方向的其他实施例。以下，参照图8及图9对根据另一实施例的去除激光晶化突起的装置进行详细说明。图8是根据另一实施例的去除激光晶化突起的装置的示意图，图9是图8的A部分的放大图。如图8及图9所示，根据另一实施例的去除激光晶化突起的装置的光源310位于第二旋转板200上。并且，收光部320与第一旋转板100相邻地布置且收光部320的端部可以插入于吸附垫130。并且，第二旋转板200在与光源310对应的位置具有第一穿过孔211，研磨垫230可以在与第一穿过孔211对应的位置具有第二穿过孔231。因此，收光部320的端部可以与第一穿过孔211及第二穿过孔231重叠。因此，从光源310照射的光经过第一穿过孔211及第二穿过孔231而入射到显示面板10的多晶硅层11，且通过显示面板10的光入射到位于下部的收光部320，从而可以测量透射光谱。如上所述，通过优选实施例对本发明进行了说明，但本发明不限于此，从事于本发明所属技术领域的人员能够容易理解，在不脱离权利要求书记载的概念和范围的情况下，可以实现多种修改及变形。

权利要求：1.一种去除激光晶化突起的装置，其特征在于，包括：第一旋转板，布置有包括多晶硅层的显示面板；第二旋转板，与所述第一旋转板相向，并研磨所述多晶硅层的激光晶化突起；研磨监视部，与所述第二旋转板连接，并与所述第二旋转板一起旋转；以及分光器，连接于所述研磨监视部。2.如权利要求1所述的去除激光晶化突起的装置，其特征在于，还包括：第二支撑台，连接于所述第二旋转板；以及固定支撑台，将所述第二支撑台与所述研磨监视部相互固定。3.如权利要求2所述的去除激光晶化突起的装置，其特征在于，还包括：吸附垫，位于所述第一旋转板上，并固定所述显示面板；以及研磨垫，位于所述第二旋转板上，并与所述显示面板相向。4.如权利要求2所述的去除激光晶化突起的装置，其特征在于，所述固定支撑台包括：主支撑台；以及辅助支撑台，从所述主支撑台延伸而与所述研磨监视部重叠。5.如权利要求4所述的去除激光晶化突起的装置，其特征在于，所述研磨监视部包括：光源；收光部，与所述光源相隔而布置，所述光源位于所述辅助支撑台的一侧，所述收光部位于所述辅助支撑台的另一侧。6.如权利要求5所述的去除激光晶化突起的装置，其特征在于，还包括：偏光器，位于所述光源的出口。7.如权利要求5所述的去除激光晶化突起的装置，其特征在于，还包括：浆料供应部，连接于所述第二支撑台，并向所述第一旋转板供应浆料。8.如权利要求7所述的去除激光晶化突起的装置，其特征在于，所述浆料供应部包括：浆料药液部，贴附于所述第二支撑台；浆料喷嘴部，连接于所述浆料药液部；喷嘴头，连接于所述浆料喷嘴部，并与所述第一旋转板相邻地布置；引导部，连接所述浆料药液部和所述浆料喷嘴部，并引导所述浆料药液部的升降。9.如权利要求8所述的去除激光晶化突起的装置，其特征在于，所述引导部贯通所述辅助支撑台的孔。10.如权利要求2所述的去除激光晶化突起的装置，其特征在于，所述分光器贴附于所述第二支撑台。

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