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申请/专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
摘要：本发明公开了一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，属于半导体光电子技术领域。所述结构包括InP衬底，InP缓冲层，InGaAs吸收层，InGaAsP渐变层，集成一有源淬灭器件的InP电荷层，InP帽层，SiN介质层，N电极，P电极。该器件为一正照射单光子雪崩二极管。其中InP帽层集成一金属‑绝缘‑半导体场效应晶体管MISFET，且场效应晶体管的漏极与InGaAsInP单光子雪崩二极管P极共用一个扩散区。本发明将实现单光子雪崩二极管的被动淬灭主动恢复功能，并将有源淬灭器件集成在InP帽层上，减少了电路连接过程中引入的寄生参数，从而可以降低雪崩二极管的雪崩电荷，抑制后脉冲。并且该种集成方式可基于标准的单光子雪崩二极管的制造工艺，仅增加一步光刻步骤便能实现集成。
主权项：1.一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构，包括：衬底、缓冲层、吸收层、渐变层、电荷层和集成有源淬灭器件的帽层，其特征在于：该二极管为正照射型光电二极管，光敏面位于二极管帽层表面中心区域；衬底上层依次为InP缓冲层，InGaAs吸收层，InGaAsP渐变层，InP电荷层和集成晶体管的InP帽层；帽层上部中心位置设计一个两步台阶型P型掺杂区域，该区域外环设置一个单步环形P型掺杂区域，台阶型P型掺杂区上方引出二极管P电极，该台阶型P型扩散区作为二极管P极与集成晶体管的共用电极，单步环形P型掺杂区引出集成晶体管的源极，在帽层两个扩散区之间环形区域的上方生长介质膜，在介质膜上方生长金属作为集成晶体管的栅极，在InP帽层向下开一N槽，N槽穿过InGaAs吸收层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院上海技术物理研究所 一种集成有源淬灭器件的单光子雪崩二极管结构
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