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申请/专利权人：睿智源半导体科技(苏州)有限公司
摘要：本发明属于半导体技术领域，公开了晶圆清洗方法及清洗装置。晶圆清洗方法包括获取晶圆并将晶圆转运至清洗腔内；控制夹持机构将晶圆固定在清洗腔内；驱动夹持机构旋转以带动晶圆旋转，并依次向晶圆喷射第一流体和第二流体以对晶圆进行清洗；当晶圆完成清洗后，向晶圆喷射第三流体以去除晶圆静电；获取完成去除静电的晶圆并将晶圆带出清洗腔。以此该晶圆清洗方法在清洗过程中，能够实现对晶圆的快速清洗，有效改善了清洗效果。同时相比于现有技术中采用溶剂清洗或者化学清洗，本清洗方法对环境要求较低，能够有效降低实现该方法的成本，使得晶圆清洗过程中，能够同时达到较高的清洗效率、较低的清洗成本以及较好的清洗效果。
主权项：1.晶圆清洗方法，其特征在于，包括：获取晶圆并将晶圆转运至清洗腔内；控制夹持机构将晶圆固定在所述清洗腔内；驱动所述夹持机构旋转以带动晶圆旋转，并向晶圆喷射第一流体，获取清洗腔内的湿度值和第一喷射时间，当所述湿度值大于湿度阈值且所述第一喷射时间大于第一时间阈值时，停止所述第一流体的喷射，并开始喷射第二流体以对晶圆进行清洗，在清洗过程中，利用晶圆旋转产生的离心力将晶圆表面的流体甩出以将污染物带离；获取所述第二流体的第二喷射时间，当所述第二喷射时间大于第二时间阈值时表示晶圆完成清洗，停止所述第二流体的喷射并向晶圆喷射第三流体以去除晶圆静电；以及获取完成去除静电的晶圆并将晶圆带出所述清洗腔；其中，所述第一流体为二流体，所述第二流体包括干冰和惰性气体，所述第三流体为等离子体，以使得所述第三流体与晶圆接触后中和晶圆的静电；获取机壳内和所述清洗腔内的湿度值，根据所述湿度值产生所述机壳内与所述清洗腔内的气压差，当所述气压差满足气压条件时，控制阀开启以导通所述清洗腔与所述机壳，调节所述清洗腔内的气压。
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权利要求：
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