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申请/专利权人：北京超弦存储器研究院
摘要：一种3D堆叠的半导体器件及其制造方法、电子设备，3D堆叠的半导体器件包括：多个晶体管，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；字线，贯穿所述不同层的多个晶体管；晶体管包括环绕所述字线侧壁的半导体层，设置在字线的侧壁和所述半导体层之间的栅极绝缘层；位线，主体沿平行于衬底的第一方向延伸且与半导体层接触；位线与半导体层的接触面的第一宽度与所述半导体层的第二宽度的比值小于等于0.6，第一宽度为所述接触面的外轮廓沿所述位线的延伸方向的最大距离，第二宽度为所述半导体层的外轮廓沿所述位线的延伸方向的最大距离。本实施例中，通过控制位线和半导体层的接触面的宽度，可以降低位线和字线之间的寄生电容，降低对读出信号的干扰。
主权项：1.一种3D堆叠的半导体器件，其特征在于，包括：多个晶体管，分布于不同层沿着垂直衬底方向堆叠；字线，贯穿所述不同层的所述多个晶体管；所述晶体管包括环绕所述字线侧壁的半导体层，设置在所述字线的侧壁和所述半导体层之间的栅极绝缘层；位线，主体沿平行于所述衬底的第一方向延伸且与所述半导体层接触；所述位线与所述半导体层的接触面的第一宽度与所述半导体层的第二宽度的比值小于等于0.6，所述第一宽度为所述接触面的外轮廓沿所述位线的延伸方向的最大距离，所述第二宽度为所述半导体层的外轮廓沿所述位线的延伸方向的最大距离。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京超弦存储器研究院 一种3D堆叠的半导体器件及其制备方法、电子设备
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