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申请/专利权人：复旦大学

摘要：本发明属于电子束光刻技术领域，具体为一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法。本发明以GenISys公司提供的TRACER、BEAMER和LAB仿真软件为平台进行电子束冰刻工艺光刻胶形貌的计算，基于实验光刻版图、初始电子束能量和电子数量、电子束斑尺寸、衬底材料和厚度、光刻胶材料、厚度和对比度实验数据的情况下，计算冰刻工艺中电子束光刻胶的光刻形貌，包括极低温度下的水冰、苯甲醚、醇类、烷烃类、其他无需溶液显影工艺的冰光刻胶和在仿真中无需显影工艺的电子束光刻胶。本发明可为电子束冰刻工艺的光刻形貌预测提供参考，在实验制备层面为冰刻工艺提供关键的、必不可少的理论指导，具有针对性强、有效缩短实验周期、降低实验成本的优点。

主权项：1.一种电子束冰刻工艺的光刻形貌计算方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）在TRACER软件MaterialArchive中导入冰光刻胶材料参数；其中：所述冰光刻胶材料参数包括质量密度、化学分子式及平均激发能；（2）在TRACER软件中计算每一个电子运动轨迹及所有冰光刻胶厚度层的点线扩散函数Ea，即单像素线图形的冰刻形貌：设定衬底材料类型和厚度、冰光刻胶材料类型和厚度、初始电子束能量以及电子数量，运行仿真，得到电子在冰光刻胶及衬底内部的运动轨迹和所有冰光刻胶厚度层的点线扩散函数Ea，对Ea数据进行绘图，得到电子损失能量密度分布，即单像素线图形的电子束冰刻形貌；（3）在BEAMER软件中结合光刻版图和点线扩散函数Ea文件计算冰光刻胶分子吸收电子能量能力空间分布AEA，即冰刻形貌：首先导入待仿真的光刻版图，然后在BEAMER软件中的E-Beam模块导入不同冰光刻胶厚度层的点线扩散函数Ea并设定电子束斑尺寸、仿真区域和网格精度，运行仿真并对数据文件进行绘图，可得到冰光刻胶分子吸收电子能量的空间分布AEA，即冰刻形貌；（4）在LAB软件中结合实验数据计算灰度冰刻形貌：（4.1）在BEAMER软件中将待仿真灰度光刻版图转换为LAB软件识别的.ldb文件格式；（4.2）在LAB软件中的Calibration模块导入冰光刻胶对比度数据和对应的点线扩散函数Ea，并设定仿真环境，包括光刻胶类型、厚度以及网格精度，以获得特定厚度时的冰光刻胶仿真参数文件，所述参数包括：曝光速率系数，完全曝光光刻胶的溶解速率，未曝光光刻胶的溶解速率，斜率，阈值抑制剂浓度；（4.3）在LAB软件中的E-Beam模块导入灰度光刻版图、冰光刻胶仿真参数文件和点线扩散函数Ea文件，设定光刻胶厚度、曝光剂量、电子束斑尺寸、网格精度以及仿真区域，运行仿真，并对数据文件进行绘图，可得到冰光刻胶分子吸收电子能量能力空间分布AEA，即冰刻形貌。

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