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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：本公开的实施例提供了半导体结构。半导体结构包括：金属线，位于第一衬底上方；第二衬底，位于金属线上方；以及贯通孔，穿过第二衬底并且落在金属线上。贯通孔包括具有至少85％的111晶体取向的铜填充物。贯通孔包括位于底部部分上方的具有第一顶部宽度的顶部部分，底部部分具有第二顶部宽度，第二顶部宽度小于第一顶部宽度，并且顶部部分包括位于第一基脚部件上方的第一主体部分。第一主体部分具有第一侧壁，第一基脚部件具有第二侧壁，并且第二侧壁从第一侧壁向内倾斜，以使贯通孔从顶部部分的第一顶部宽度变窄到底部部分的第二顶部宽度。根据本申请的其他实施例，还提供了形成半导体结构的方法。
主权项：1.一种半导体结构，包括：金属线，位于第一衬底上方；第二衬底，位于所述金属线上方；以及贯通孔，穿过所述第二衬底并且落在所述金属线上，其中，所述贯通孔包括具有至少85％的111晶体取向的铜填充物，其中，所述贯通孔包括位于底部部分上方的具有第一顶部宽度的顶部部分，所述底部部分具有第二顶部宽度，所述第二顶部宽度小于所述第一顶部宽度，并且所述顶部部分包括位于第一基脚部件上方的第一主体部分，其中，所述第一主体部分具有第一侧壁，所述第一基脚部件具有第二侧壁，并且所述第二侧壁从所述第一侧壁向内倾斜，以使所述贯通孔从所述顶部部分的所述第一顶部宽度变窄到所述底部部分的所述第二顶部宽度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体结构及其形成方法
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