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申请/专利权人：住友电气工业株式会社

摘要：碳化硅半导体器件具有n型的漂移区、p型的体区、n型的源极区、p型的接触区、在第一方向上延伸的栅极沟槽、栅极绝缘膜、栅电极、源电极、层间绝缘膜、p型的电场缓和区、将所述接触区与所述电场缓和区连接的p型的连接区，所述电场缓和区具有：第一区，在与所述第一方向垂直的第二方向上具有第一尺寸；以及第二区，在所述第一方向上与所述第一区相连，在所述第二方向上具有比所述第一尺寸小的第二尺寸，所述接触区具有从设置在所述层间绝缘膜的接触孔露出并连接有所述源电极的第三区，在俯视观察时，所述栅极沟槽及所述电场缓和区与在所述第一方向上延伸的假想直线重叠，所述连接区在所述假想直线上与所述电场缓和区相接，所述第一区与所述第三区在所述第二方向上排列。

主权项：1.一种碳化硅半导体器件，具有：碳化硅衬底，具有第一主面、以及与所述第一主面相对的第二主面；源电极；栅极绝缘膜；栅电极，以在与所述碳化硅衬底之间夹着所述栅极绝缘膜的方式设置在所述栅极绝缘膜上；以及层间绝缘膜，覆盖所述栅电极，所述碳化硅衬底具有：漂移区，具有第一导电型；体区，设置在所述漂移区上，具有与所述第一导电型不同的第二导电型；源极区，以与所述漂移区隔开的方式设置在所述体区上，具有所述第一导电型；以及接触区，设置在所述体区上，具有所述第二导电型，在所述第一主面上设置有栅极沟槽，所述栅极沟槽由贯通所述源极区及所述体区而到达所述漂移区的侧面、以及与所述侧面相连的底面规定，在与所述第一主面平行的第一方向上延伸，所述源电极与所述源极区及所述接触区连接，所述栅极绝缘膜与所述侧面及所述底面相接，所述碳化硅衬底还具有：电场缓和区，设置在所述底面与所述第二主面之间，在所述第一方向上延伸，具有所述第二导电型；以及连接区，将所述接触区与所述电场缓和区电连接，具有所述第二导电型，所述电场缓和区具有：第一区，在与所述第一方向垂直的第二方向上具有第一尺寸；以及第二区，在所述第一方向上与所述第一区相连，在所述第二方向上具有比所述第一尺寸小的第二尺寸，在所述层间绝缘膜上形成有在所述第一方向上延伸并使所述源极区的一部分露出的接触孔，所述接触区具有从所述接触孔露出并连接有所述源电极的第三区，在从与所述第一主面垂直的方向俯视观察时，所述栅极沟槽及所述电场缓和区与在所述第一方向上延伸的假想直线重叠，所述连接区在所述假想直线上与所述电场缓和区相接，所述第一区与所述第三区在所述第二方向上排列。

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