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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种改善背封硅片背面晶点的工艺方法，所属硅片加工技术领域，包括如下操作步骤：第一步：对硅片背面进行BSD加工，将含有SiO2的浆料通过压缩空气喷在硅片背面，在硅片背面产生背损伤，使之产生缺陷，进行外吸杂。第二步：完成BSD后进行SC1药液清洗，在SC1药液中以65℃温度下清洗5～10min。第三步：在65℃温度下，采用表面活性剂清洗5～10min。第四步：在常温下，采用HF溶液清洗5～10min。第五步：对硅片进行抛光，抛光时采用陶瓷盘，陶瓷盘不贴硅片进行空抛处理。具有操作便捷和运行稳定性好的优点。解决了背封硅片存在背面晶点的问题。采用陶瓷盘空抛处理，提高平坦度良率。
主权项：1.一种改善背封硅片背面晶点的工艺方法，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：对硅片背面进行BSD加工，将含有SiO2的浆料通过压缩空气喷在硅片背面，在硅片背面产生背损伤，使之产生缺陷，进行外吸杂；第二步：完成BSD后进行SC1药液清洗，在SC1药液中以65℃温度下清洗5～10min；第三步：在65℃温度下，采用表面活性剂清洗5～10min；第四步：在常温下，采用HF溶液清洗5～10min；第五步：对硅片进行抛光，抛光时采用陶瓷盘，陶瓷盘不贴硅片进行空抛处理。
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权利要求：
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