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申请/专利权人：中国工程物理研究院电子工程研究所

摘要：本发明涉及集成电路封装技术领域，公开了一种含磁阻电流传感的三维集成TSV转接板及制备方法，包括：硅基板，所述硅基板的第一面设有无机介质层一，贯穿所述硅基板与无机介质层一设有TSV铜柱，与所述硅基板的第一面相对设置的第二面设有焊球，所述焊球与所述TSV铜柱固定连接；磁阻电流传感器，固定设置在所述无机介质层一的上表面的预设位置；无机介质层二，设置在所述磁阻电流传感器的非端口处以及所述无机介质层一的非TSV铜柱所在的塔接处；互联线，用于将若干所述TSV铜柱和磁阻电流传感器按照预设电路连接图形连接在一起；电流线，与所述磁阻电流传感器连接。本发明提出的技术方案，实现了特定类型电流传感器在TSV转接板上的集成。

主权项：1.一种含磁阻电流传感的三维集成TSV转接板的制备方法，其特征在于，包括：S1、在硅基板上表面通过刻蚀工艺制作形成硅通孔，并在所述硅通孔内和硅基板上表面淀积无机介质层一，然后在所述硅通孔内和硅基板上表面的所述介质层一上溅射第一金属种子层，所述第一金属种子层填充满所述硅通孔形成TSV铜柱，然后去掉硅基板上表面的第一金属种子层；S2、在所述无机介质层一的上表面涂抹上光刻胶，并在需要设置磁阻电流传感器的位置对光刻胶进行光刻处理，形成关于所述磁阻电流传感器的图形；S3、通过磁控溅射在所述硅基板上的光刻胶以及介质层一上淀积磁阻电流传感器薄膜材料；S4、将所述无机介质层一的上表面的光刻胶以及沉积在所述光刻胶上的磁阻电流传感器薄膜材料进行剥离，并将整个所述硅基板置于真空磁场退火炉中进行退火处理，根据需要条件设置退火温度与磁场强度，最终形成所述无机介质层一上表面固定有磁阻电流传感器的硅基板；S5、在所述无机介质层一以及磁阻电流传感器的上表面上淀积无机介质层二，在所述磁阻电流传感器的端口和所述硅通孔的搭接处刻蚀掉所述无机介质层二，露出所述磁阻电流传感器与硅通孔互联的端口；S6、在所述无机介质层一、无机介质层二、磁阻电流传感器的上表面均涂抹上光刻胶，并按照预设电路连接图形的位置对光刻胶进行光刻处理，形成按照预设电路连接图形的互联结构图形，然后在光刻胶、无机介质层一、无机介质层二淀积第二金属种子层，按照预设电路连接图形光刻出器件的互联结构图形；S7、对进行过光刻处理的区域进行电镀处理，去掉光刻胶后反刻蚀掉第二金属种子层从而形成互联线，从而将所述磁阻电流传感器引出端通过互联线与所述TSV铜柱连接；S8、将焊球焊接在所述硅基板远离无机介质层一一侧的TSV铜柱处，实现硅基板信号的对外引出。

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