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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
摘要：本发明涉及在形成半导体装置后形成衬底穿孔TSV及金属化层的方法，所揭示的一种示例方法包括：除其它以外，在半导体衬底上方形成半导体装置，形成至该半导体装置的装置层级接触，以及在形成该装置层级接触以后，执行至少一个共同制程操作，以形成位于该衬底中的沟槽中的衬底穿孔TSV、与该TSV导电耦接的TSV接触结构，以及与该装置层级接触导电耦接的导电金属化元件。
主权项：1.一种制造集成电路的方法，该方法包括：在半导体衬底中及上方形成半导体装置；在该半导体衬底上方形成层间介电质ILD材料；在该ILD材料上方形成至少一个第一绝缘材料层；在该至少一个第一绝缘材料层上方形成至少一个第二绝缘材料层，其中，该至少一个第二绝缘材料层由低k绝缘材料组成，而该至少一个第一绝缘材料层充当蚀刻停止层；形成至该半导体装置的第一装置层级接触及第二装置层级接触，其中，该第一装置层级接触及该第二装置层级接触不位于同一水平面中；以及在形成该装置层级接触以后，执行至少一个共同制程操作，以形成位于该衬底中的沟槽中的每一个衬底穿孔TSV、与形成在该衬底的该沟槽中的该TSV导电耦接的TSV接触结构，以及与该装置层级接触导电耦接的导电金属化元件，其中，该至少一个共同制程操作是在同一个制程步骤同时执行的。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 在形成半导体装置后形成衬底穿孔(TSV)及金属化层的方法
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