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申请/专利权人：青岛天仁微纳科技有限责任公司
摘要：本发明公开了一种纳米压印晶圆加工用对准定位方法及系统，涉及晶圆加工技术领域。包括：面积获取：获取待压印晶圆的可压印面积以及压印设备的面积，分别得到第一面积项和第二面积项；图形模拟：基于第一面积项和第二面积项，通过模拟方法模拟出第二面积项与第一面积项的结合图示，并基于结合图示得到多组压印图形，得到压印图形集。本发明通过待压印晶圆的可压印面积以及压印设备的面积来预先模拟出压印设备在可压印面积中的所有结合图示，并通过图形投射器将压印图形项投射在晶圆表面，方便压印设备根据投射的压印图形进行压印，提高了压印过程中压印设备的对齐精准度。
主权项：1.一种纳米压印晶圆加工用对准定位方法，其特征在于，包括：面积获取：获取待压印晶圆的可压印面积以及压印设备的面积，分别得到第一面积项和第二面积项；图形模拟：基于第一面积项和第二面积项，通过模拟方法模拟出第二面积项与第一面积项的结合图示，并基于结合图示得到多组压印图形，得到压印图形集；图形选取：基于不同需求，从压印图形集内选取与需求匹配的压印图形，得到压印图形项，并通过图形投射器将压印图形项投射在晶圆表面；压印对准：基于第二面积项以及压印图形项，通过匹配方法将第二面积项与压印图形项进行匹配对准；所述匹配方法包括：步骤一：特征点确定，以晶圆的中心位置坐标为第一特征点，并基于压印图形项，在晶圆上设置多个第二特征点；步骤二：对标点确定，在压印设备处于复位状态时，第一特征点与压印设备上某一点对应，设为对标点；步骤三：位置确定，基于第二特征点的坐标信息确定第二特征点的位置，得到特征点位置坐标集，并且基于特征点位置坐标集确定第一特征点与第二特征点之间的距离，得到特征点距离集；步骤四：对标点移动，基于特征点位置坐标集以及特征点距离集，调控对标点向第二特征点移动；步骤五：对标点判断，判断对标点是否与第二特征点重合，当对标点与第二特征点重合，则以第二特征点作为压印点进行压印，当对标点与第二特征点未重合，则使对标点返回上一个第二特征点，并重复步骤四。
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