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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法，属于芯片制程技术领域，该CMOS图像传感器的制造方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层，所述衬底包括像素区和逻辑区，其中，将位于所述像素区上的硬掩膜层记为第一部分，位于所述逻辑区上的硬掩膜层则记为第二部分；在所述第一部分的顶部形成第二光刻胶层，去除所述第二部分，并对所述逻辑区进行离子注入；在所述逻辑区的顶部形成第三光刻胶层，去除所述第一部分，以对所述像素区进行离子注入。通过在像素区上保留一定厚度的硬掩膜层作为保护层，集中对逻辑区进行离子注入，降低像素区的金属离子污染，进而减少白像素数量。
主权项：1.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：在衬底上形成硬掩膜层，所述衬底包括像素区和逻辑区，其中，将位于所述像素区上的硬掩膜层记为第一部分，位于所述逻辑区上的硬掩膜层则记为第二部分；在所述第一部分的顶部形成第二光刻胶层，去除所述第二部分，并对所述逻辑区进行离子注入；移除所述第二光刻胶层，在所述逻辑区的顶部形成第三光刻胶层，去除所述第一部分，以对所述像素区进行离子注入。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 CMOS图像传感器及其制造方法
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