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申请/专利权人：长电微电子(江阴)有限公司
摘要：一种晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法，封装结构包括：基板；多个半导体芯片，包括相对的有源面和背面，半导体芯片的有源面倒装在基板上表面；包覆半导体芯片以及基板上表面的第一塑封层；位于基板的下表面的外接凸起；包覆外接凸起的侧面以及基板下表面的第二塑封层，且第二塑封层的厚度小于第一塑封层的厚度，第二塑封层的热膨胀系数和或杨氏模量等于或高于第一塑封层的热膨胀系数和或杨氏模量。从而有效调控晶圆级超大芯粒模块的系统封装结构在室温时或高温时的翘曲。本申请获得国家重点研发计划项目项目编号：2023YFB4404300，课题编号：2023YFB4404305的支持。
主权项：1.一种晶圆规模的系统级封装结构，其特征在于，包括：基板，所述基板包括相对的上表面和下表面；多个半导体芯片，每个所述半导体芯片包括相对的有源面和背面，所述多个半导体芯片的有源面倒装在所述基板上表面，所述多个半导体芯片与所述基板电连接；包覆所述多个半导体芯片以及所述基板上表面的第一塑封层；位于所述基板的下表面的多个外接凸起，所述多个外接凸起与所述基板电连接；包覆所述多个外接凸起侧面以及所述基板下表面的第二塑封层，所述第二塑封层露出多个所述外接凸起的下表面，且所述第二塑封层的厚度小于所述第一塑封层的厚度且所述第二塑封层的厚度至少为15um，所述第二塑封层的热膨胀系数和或杨氏模量等于或高于所述第一塑封层的热膨胀系数和或杨氏模量。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 长电微电子(江阴)有限公司 晶圆规模的系统级封装结构及其形成方法
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