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申请/专利权人：西南技术物理研究所
摘要：本发明公开了一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管，自下而上依次包括：背面金属电极、抗反射层、P+型非耗尽层、Π型外延层、P型活性区、N+型接触层、隔离环、永久键合胶层、键合基片、通孔电极、以及正面金属电极。本发明可有效提升APD的雪崩信号触发概率，从而提高蓝绿光波段的探测效率。
主权项：1.一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管，其特征在于，自下而上依次包括：背面金属电极、抗反射层、P+型非耗尽层、Π型外延层、P型活性区、N+型接触层、隔离环、永久键合胶层、键合基片、通孔电极、以及正面金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南技术物理研究所 一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管及其制备方法
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