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申请/专利权人：太原理工大学;山西浙大新材料与化工研究院
摘要：本发明属于光催化材料技术领域，具体涉及一种HCPDI‑CdSeNPs薄膜及其制备方法和应用。本发明的HCPDI‑CdSeNPs薄膜的制备方法包括以下步骤：1将CdSe纳米颗粒与自组装的HCPDI和溶剂混合均匀，得到混合物I；2将经步骤1处理所得混合物I涂抹于载玻片表面，干燥，置于稀有气体气氛下退火处理，即得所述HCPDI‑CdSeNPs薄膜。用本发明的方法制备得到的HCPDI‑CdSeNPs成膜性非常好，且表面平整。若按本发明的步骤合成，形成的膜只有在接触有机溶剂或施加机械力才能擦掉并损坏样品，非常方便催化剂的回收。在不加助催化剂的条件下具有较好的光催化全解水能力。
主权项：1.一种HCPDI-CdSeNPs薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）将CdSe纳米颗粒与自组装的HCPDI和溶剂混合均匀，得到混合物I；（2）将经步骤（1）处理所得混合物I涂抹于载玻片表面，干燥后，置于稀有气体气氛下退火处理，即得所述HCPDI-CdSeNPs薄膜；所述CdSe纳米颗粒采用包括下述步骤的方法制备得到：A1.将亚硫酸钠、硒粉和氢氧化钠混合研磨，得到第一混合物；所述亚硫酸钠、硒粉和氢氧化钠的摩尔比为1:1.81-1.83:3.63-3.65；A2.对所述第一混合物和乙酸镉进行混合研磨，得到块状棕色的第二混合物；所述乙酸镉与硒粉的摩尔比为0.9-5.1:1；A3.对所述第二混合物进行洗涤，得到CdSe糊状物质；A4.对所述CdSe糊状物质进行干燥、研磨，得到CdSe粉状物质；A5.对所述CdSe粉状物质进行退火，即得所述CdSe纳米颗粒；步骤A5中，所述退火的温度为245-255℃，退火的时间为1.9-2.1h步骤（1）中，所述CdSe纳米颗粒与HCPDI的质量比为0.9-1.1:1；步骤（2）中，所述退火处理的温度为240-260℃，退火时间为1.9-2.1h。
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百度查询： 太原理工大学 山西浙大新材料与化工研究院 一种HCPDI-CdSe NPs薄膜及其制备方法和应用
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