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申请/专利权人：华为技术有限公司
摘要：本发明提供一种磁过滤阴极真空电弧镀膜装置和方法。本发明第一方面提供一种磁过滤阴极真空电弧镀膜装置，包括设置于连接直管和磁过滤单元之间的阳极环，通过向阳极环施加正电压，吸引阴极靶材和工作气体电离出的电子，使得电子在飞向阳极环的过程中碰撞工作气体产生更多的电离，增加气体离子比例和气体离化率，实现高能离子轰击基材，提高刻蚀效果；在刻蚀完成后，关闭对阳极环的控制，可实现常规镀膜操作。因此，本发明提供的装置和方法，仅通过工艺参数的调整，实现刻蚀与沉积一体化，简化了整机结构设计，节约了制造成本。
主权项：1.一种磁过滤阴极真空电弧镀膜装置，其特征在于，包括阴极电弧源、连接直管、阳极环、磁过滤单元、真空腔体和控制单元；所述阴极电弧源用于发生弧光放电，并释放阴极靶等离子体；所述连接直管的入口与所述阴极电弧源连接，使所述阴极电弧源释放的阴极靶等离子体进入所述连接直管内，所述连接直管上设置有工作气体输入口；所述连接直管的出口和磁过滤单元的入口之间设置有所述阳极环，所述磁过滤单元的出口与所述真空腔体连通，所述真空腔体内固定设置有基材；所述控制单元用于控制所述阳极环的电压，当所述装置用于刻蚀时，向所述阳极环上施加5～50V的电压，当所述装置用于镀膜时，则关闭所述控制单元对所述阳极环的电压控制。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华为技术有限公司 一种磁过滤阴极真空电弧镀膜装置和方法
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