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申请/专利权人：广州诺尔光电科技有限公司
摘要：本申请公开了一种短波红外焦平面阵列芯片及其制作方法、传感器及其制作方法，该芯片包括：衬底结构，包括埋氧层和位于埋氧层一侧的第一本征层，第一本征层内具有第一重掺杂区；位于第一本征层远离埋氧层一侧的吸收层，吸收层包括至少一层锗层；贯穿吸收层和第一本征层的第二重掺杂区，在第一本征层内，第二重掺杂区与第一重掺杂区直接接触；位于吸收层远离衬底结构一侧的雪崩层，雪崩层包括本征锗层和锗硅层，且与吸收层满足晶格匹配条件；位于雪崩层远离吸收层一侧的第二本征层，第二本征层内具有第三重掺杂区；与第二重掺杂区电连接的第一电极以及与第三重掺杂区电连接的第二电极。该芯片的暗计数率和雪崩击穿电压较低，灵敏度和响应速度较高。
主权项：1.一种短波红外焦平面阵列芯片，其特征在于，包括至少一个单光子雪崩光电探测器，所述短波红外焦平面阵列芯片包括：衬底结构，所述衬底结构包括埋氧层和位于所述埋氧层一侧的第一本征层，所述第一本征层内具有第一重掺杂区；位于所述第一本征层远离所述埋氧层一侧的吸收层，所述吸收层包括至少一层锗层；贯穿所述吸收层和所述第一本征层的第二重掺杂区，在所述第一本征层内，所述第二重掺杂区与所述第一重掺杂区直接接触；位于所述吸收层远离所述衬底结构一侧的雪崩层，所述雪崩层包括本征锗层和锗硅层，且所述雪崩层与所述吸收层满足晶格匹配条件；位于所述雪崩层远离所述吸收层一侧的第二本征层，所述第二本征层内具有第三重掺杂区；位于所述第二本征层远离所述雪崩层一侧的反射层；贯穿所述反射层、所述第二本征层以及所述雪崩层的第一通孔，所述第一通孔曝露所述量子阱传感层部分表面以及所述第二重掺杂区远离所述埋氧层一侧表面，且所述第一通孔与所述第三重掺杂区不接触；位于所述第一通孔表面以及所述反射层表面的钝化层，所述钝化层中具有第二通孔和第三通孔，所述第二通孔至少曝露所述第二重掺杂区部分表面，所述第三通孔至少曝露所述反射层部分表面；通过所述第二通孔与所述第二重掺杂区电连接的第一电极以及通过所述第三通孔与所述第三重掺杂区电连接的第二电极。
全文数据：
权利要求：
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