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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：一种电子器件，包括半导体存储器，该半导体存储器包括各自包括一个或多个低电阻区域和一个或多个高电阻区域的材料层，与材料层交替层叠并且包括延伸超过材料层的凸起的绝缘层，穿过绝缘层和低电阻区域的导电柱，位于凸起之间的导电层以及插设于低电阻区域和导电层之间的可变电阻层。
主权项：1.一种电子器件，其包括半导体存储器，所述半导体存储器包括：材料层，每个所述材料层都包括一个或多个第一区域和一个或多个第二区域，其中每个所述第一区域的电阻率低于每个所述第二区域的电阻率；导电层，其位于所述材料层的两侧上；绝缘层，所述绝缘层与所述材料层交替地层叠并且包括延伸超过所述材料层的凸起以与所述导电层重叠；导电柱，其穿过所述绝缘层和所述第一区域；以及可变电阻层，其插设于所述第一区域和所述导电层之间。
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权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 电子器件和用于制造电子器件的方法
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