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申请/专利权人：济南晶恒电子有限责任公司
摘要：本发明属于光阻GPP芯片技术领域，提供了一种复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件。其中，该芯片包括由内及外依次设置的半绝缘掺氧多晶硅膜、玻璃和低温氧化膜，所述低温氧化膜上设有氧化铝膜，所述半绝缘掺氧多晶硅膜上设有氮化硅膜。其在传统光阻GPP芯片钝化层设计的基础上，在玻璃表面增加Al2O3膜，在Sipos膜表面增加氮化硅膜，有这两层钝化层的保护，可完全避免可动离子移动到硅表面，加上Sipos膜对可动离子电场的中和作用，可确保产品高温反偏通过150℃80％反压1000小时的考核。
主权项：1.一种复合钝化膜结构的光阻GPP芯片的制备方法，其特征在于，包括：在生长氧化层的扩散片上涂覆光刻胶；在露出待蚀刻的区域上进行一次光刻沟槽，形成具有沟槽的硅片；在具有沟槽的硅片上依次沉积半绝缘掺氧多晶硅膜和氮化硅膜；使用LPCVD沉积半绝缘掺氧多晶硅膜；所述氮化硅膜的厚度为0.2μm-0.4μm；在氮化硅膜上进行二次光刻涂覆玻璃光阻剂，烧结形成玻璃保护层；在玻璃保护层上依次沉积低温氧化膜和氧化铝膜并形成晶片，使用磁控溅射沉积一层氧化铝膜；对晶片的正面进行三次光刻露出焊接区域；所述氧化铝膜的厚度为0.05μm-0.15μm；分别在晶片正面的焊接区域和晶片背面上镀金属；在晶片正面的焊接区域和晶片背面上镀的金属为镍与金；将镀金属后的晶片背面进行划片处理，得到光阻GPP芯片，其中，光阻GPP芯片包括由内及外依次设置的半绝缘掺氧多晶硅膜、玻璃和低温氧化膜，所述低温氧化膜上设有氧化铝膜，所述半绝缘掺氧多晶硅膜上设有氮化硅膜。
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百度查询： 济南晶恒电子有限责任公司 复合钝化膜结构的光阻GPP芯片、制备方法及电子器件
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