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等离子体处理装置 

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申请/专利权人:东京毅力科创株式会社

摘要:本发明提供一种等离子体处理装置。在气体供给管从构成喷淋头的上部电极的中央向上方延伸的等离子体处理装置中,提高通过电磁波在腔室内生成的等离子体的密度的分布的均匀性。公开的等离子体处理装置具备腔室、基板支承部、喷淋头、气体供给管、导入部以及电磁波的供给路。喷淋头由金属形成,设置于基板支承部的上方,提供朝向腔室内的空间开口的多个气体孔。气体供给管由金属形成,在腔室的上方沿铅垂方向延伸,并与喷淋头的上部中央连接。导入部由电介质制成,并沿喷淋头的外周设置,以将电磁波从该导入部导入腔室内。供给路包括与气体供给管的环状的凸缘部连接的导体。

主权项:1.一种等离子体处理装置,具备:腔室;基板支承部,其设置于所述腔室内;喷淋头,其由金属形成,设置于所述基板支承部的上方,提供朝向所述腔室内的空间开口的多个气体孔;气体供给管,其由金属形成,所述气体供给管在所述腔室的上方沿铅垂方向延伸,并与所述喷淋头的上部中央连接;导入部,其由电介质形成,并沿所述喷淋头的外周设置,以将作为甚高频波或特高频波的电磁波从所述导入部导入所述腔室内;以及电磁波的供给路,其与所述气体供给管连接,其中,所述气体供给管在其长度方向上的一部分中包括环状的凸缘部,所述凸缘部从所述气体供给管向径向外侧突出且与所述气体供给管之间不设置间隙地突出,所述供给路包括与所述凸缘部连接的导体。

全文数据:

权利要求:

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