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申请/专利权人：全新光电科技股份有限公司
摘要：一种半导体雷射二极管，为解决现有技术中所运用材料虽能降低应力但选择材料较有限且载子局限能力不佳，因此在雷射组件中提供含磷的半导体层，一方面能更有效的降低雷射组件的主动区或雷射组件的应力总和，另一方面提高主动区对载子的局限能力，其中含磷的半导体层在适当条件下能有效降低应力总和或显著增进载子局限性，在一些情形下并兼具以上两种效果；含磷的半导体层适用于具有一或多主动层的主动区、为量子井结构或量子点结构的主动层，尤其在具有多主动层的主动区内设置含磷的半导体层后，高温特性获得显著的改善或增进。
主权项：1.一种半导体雷射二极管，其透过载子再利用机制来实现高出光功率或高功率转换效率，其特征在于，包含：一GaAs基板；以及一多层结构，位在该GaAs基板之上，该多层结构包含：一主动区，包含；多个主动层，至少包含两主动层，该两主动层包含一上主动层与一下主动层，该上主动层包含一或复数量子井层或者包含一或复数量子点结构，该下主动层包含一或复数量子井层或者包含一或复数量子点结构，该上主动层与该下主动层之间具有一磊晶区，该磊晶区中进一步包含：一穿隧接面层；以及一电洞局限层，位于该两主动层中的其中一个主动层与该穿隧接面层之间，该电洞局限层为含磷材料，含磷的该电洞局限层提升电洞位障高度，其中，该电洞局限层选自InAlGaP、InAlGaPN、InAlGaPSb、InAlGaPBi、InGaAsP、InGaAsPN、InGaAsPSb、InGaAsPBi、InGaP、InGaPN、InGaPSb、InGaPBi及InAlGaAsP所组成的群组的至少一种。
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百度查询： 全新光电科技股份有限公司 半导体雷射二极管
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