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申请/专利权人：无锡新洁能股份有限公司
摘要：本发明涉及功率半导体器件领域，具体涉及一种低EMI噪声的绝缘栅双极型晶体管器件结构及其制造方法。包括依次层叠设置的P型集电极、N型缓冲层和N型外延层；从N型外延层上表面向下形成第一P型体区，在第一P型体区上设有重掺杂的N型发射区；在位于第一P型体区内侧的N型外延层中设有栅极沟槽；位于相邻两个栅极沟槽之间的N型外延层中设有发射极沟槽；在栅极沟槽和发射极沟槽中设置第一氧化层并填充多晶硅，分别形成栅极结构和发射极结构；在发射极结构周围设置第二P型体区，第二P型体区与发射极结构耦合；栅极结构和N型外延层的上表面设有第二氧化层，第二氧化层上设有发射极金属。本发明能避免IGBT器件开启过程中给系统带来的EMI问题。
主权项：1.一种低EMI噪声的绝缘栅双极型晶体管器件结构，包括从下至上依次层叠设置的P型集电极、N型缓冲层和N型外延层；从所述N型外延层上表面向下形成第一P型体区，每个所述第一P型体区沿三维空间的y方向延伸，相邻两个所述第一P型体区在沿三维空间的x方向上间隔排布；在所述第一P型体区上设有重掺杂的N型发射区，所述重掺杂的N型发射区沿所述第一P型体区的延伸方向间隔分布；在位于所述第一P型体区内侧的N型外延层中设有栅极沟槽；其特征在于，位于相邻两个所述栅极沟槽之间的N型外延层中设有发射极沟槽，所述发射极沟槽沿三维空间的y方向延伸；在所述栅极沟槽和发射极沟槽中设置第一氧化层并填充多晶硅，分别形成栅极结构和发射极结构；在所述发射极结构周围设置第二P型体区，所述第二P型体区与所述发射极结构耦合；所述栅极结构和所述N型外延层的上表面设有第二氧化层，所述第二氧化层上设有发射极金属，所述发射极金属与所述重掺杂的N型发射区、发射极沟槽、第一P型体区和第二P型体区相接触。
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权利要求：
百度查询： 无锡新洁能股份有限公司 低EMI噪声的绝缘栅双极型晶体管器件结构及其制造方法
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