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申请/专利权人：大连理工大学
摘要：一种多元超高温Hf,TaB2‑Hf,TaC‑SiC陶瓷及其制备方法，它属于超高温陶瓷可控制备领域。本发明的目的是要解决目前制备多元超高温固溶陶瓷的烧结温度高，低温致密化困难，无法在低温条件下制备出性能优异的陶瓷的问题。本发明以HfSi2、TaSi2、B4C和C为原料，通过原位反应结合快速热压烧结低温快速制备而成；在低至1600～1800℃下仅用5～15min就实现了致密化；本发明制备的Hf,TaB2‑Hf,TaC‑SiC陶瓷表现出比HfB2‑HfC‑SiC陶瓷更优异的力学性能，Ta元素的引入易形成低熔点相且有助于形成致密的连续烧蚀层，可显著改善抗烧蚀性能。
主权项：1.一种多元超高温Hf,TaB2-Hf,TaC-SiC陶瓷，其特征在于所述陶瓷是以HfSi2、TaSi2、B4C和C为原料，通过原位反应结合快速热压烧结低温快速制备而成；在低至1600℃～1800℃下仅用5min～15min就实现了致密化；所述多元超高温Hf,TaB2-Hf,TaC-SiC陶瓷的抗弯强度为404.64±33.74MPa～556.61±24.77MPa，断裂韧性为3.23±0.12MPa·m12～5.13±0.18MPa·m12，在2100K～2300K下具有良好的耐烧蚀性能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 大连理工大学 一种多元超高温(Hf,Ta)B2-(Hf,Ta)C-SiC陶瓷及其制备方法
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