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申请/专利权人：杭州中欣晶圆半导体股份有限公司
摘要：本发明涉及一种双面抛光的修布工艺，所属硅片加工工艺技术领域，包括如下操作步骤：第一步：测试初始的抛光布厚N。第二步：接着使用金刚砂轮A进行修布压合，接着采用修布程序进行修布。修布程序：第一阶段，砂轮转速:上盘转速=0.5～2:1，砂轮转速：下盘转速=2～10:‑1负值表示行进方向相反；第二阶段，砂轮转速：上盘转速=2～10:‑1，砂轮转速：下盘转速=0.5～2:1。第三步：测试修布后的抛光布厚M，通过N‑M得出去除量。第四步：当厚度去除量不足20～120μm，使用金刚砂轮A再次压合修布。第五步：当厚度去除量达到20～120μm，改用砂轮压合修布，修布去除量达到10‑30μm后修布完成。具有确保抛光稳定和平坦度稳定的特点。解决了金刚砂轮易磨损的问题。
主权项：1.一种双面抛光的修布工艺，其特征在于包括如下操作步骤：第一步：测试初始的抛光布厚N；第二步：接着使用金刚砂轮A进行修布压合，修布压力为100～200DaN，接着采用修布程序进行修布；金刚砂轮A固定金刚砂的方式是电镀或烧结，金刚砂的目数是60～200目，枚数为3或4枚；修布程序：第一阶段，砂轮转速:上盘转速=0.5～2:1，砂轮转速：下盘转速=2～10:-1；第二阶段，砂轮转速：上盘转速=2～10:-1，砂轮转速：下盘转速=0.5～2:1；其中，负值表示行进方向相反；第三步：测试修布后的抛光布厚M，通过N-M得出去除量；第四步：当厚度去除量不足20μm，使用金刚砂轮A再次压合修布；第五步：当厚度去除量在20～120μm之间，改用金刚砂轮B压合修布，修布去除量在10～30μm之间后修布完成；金刚砂轮B固定金刚砂的方式是电镀或烧结，金刚砂的目数是100～200目，枚数为3或4枚。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司 双面抛光的修布工艺
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