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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
摘要：本文提供了半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法。该半导体存储器装置包括：第一栅极层叠体，其包括在垂直方向上交替层叠的多个层间绝缘层和多个导电图案；第二栅极层叠体，其包括依次形成在第一栅极层叠体上的源极选择线和绝缘图案；以及沟道结构，其在垂直方向上延伸到第一栅极层叠体和第二栅极层叠体中，并且包括向上突出高于第二栅极层叠体的第一端，其中，源极选择线包括依次层叠的多个导电层。
主权项：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：第一栅极层叠体，所述第一栅极层叠体包括在垂直方向上交替层叠的多个层间绝缘层和多个导电图案；第二栅极层叠体，所述第二栅极层叠体包括依次形成在所述第一栅极层叠体上的源极选择线和绝缘图案；以及沟道结构，所述沟道结构在所述垂直方向上延伸到所述第一栅极层叠体和所述第二栅极层叠体中，并且包括向上突出高于所述第二栅极层叠体的第一端，其中，所述源极选择线包括多个导电层。
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百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体存储器装置及该半导体存储器装置的制造方法
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