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申请/专利权人：广州市南沙区北科光子感知技术研究院;北京信息科技大学
摘要：本发明涉及红外探测器技术领域，提供了一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且Bi2Te3材料层的一端与MoSe2材料层的表面接触，与MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触。本发明有效抑制了光生电子‑空穴对的层间复合和界面捕获效应，从而提高了红外探测器器的光电转换效率和响应速度。
主权项：1.一种基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器，其特征在于，包括衬底、MoSe2材料层、Bi2Te3材料层、WS2材料层、源电极以及漏电极；MoSe2材料层设置在所述衬底表面；Bi2Te3材料层设置在所述衬底表面且所述Bi2Te3材料层的一端与所述MoSe2材料层的表面接触，与所述MoSe2材料层形成i型异质结；WS2材料层设置在所述衬底表面且所述WS2材料层的一端与所述Bi2Te3材料层的表面接触，与所述Bi2Te3材料层形成i型异质结；源电极设置在所述衬底表面且与MoSe2材料层相接触，漏电极设置在所述衬底表面且与WS2材料层相接触，Bi2Te3材料层不与源电极、漏电极接触；其中，MoSe2材料层和WS2材料层的表面不接触。
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权利要求：
百度查询： 广州市南沙区北科光子感知技术研究院 北京信息科技大学 基于Bi2Te3的双i型异质结红外探测器及其制作方法
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