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摘要：本发明属于半导体器件技术领域，具体涉及一种具有晶圆级尺寸二硒化铂金半边缘接触晶体管阵列及其外延生长制备方法。所述晶体管阵列包括：位于底部的衬底，位于衬底上的两侧为金属性且中间为半导体性的二硒化铂阵列，位于金属性二硒化铂上的源漏金属电极以及位于半导体性二硒化铂上的顶部栅介质层，位于顶部栅介质层上的顶部金属栅极。本发明利用二硒化铂由厚度决定的金属‑半导体转变特性，通过两步外延生长的方法构建具有晶圆级尺寸、大规模二硒化铂金半边缘接触晶体管阵列。与现有技术相比，本发明的方法具有更优异的可控性、可扩展性和可重复性，为大面积高性能二硒化铂电子器件阵列与逻辑电路的制造与多功能应用奠定了基础。
主权项：1.一种晶圆级尺寸二硒化铂金半边缘接触晶体管阵列，其特征在于，包括：衬底1001，位于底部；多层的金属性二硒化铂2001，其设于所述衬底1001上；少层的半导体性二硒化铂3001，其设于所述衬底1001上，并位于两侧多层金属性二硒化铂2001的中间；源极金属电极5001和漏极金属电极5002，两者分别设于相邻的所述金属性二硒化铂2001上，用于输出信号；顶部栅介质层6001，其设于所述半导体性二硒化铂3001表面；顶部栅极7001，其设于所述顶部栅介质层6001上，为输入控制端。
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百度查询： 复旦大学 一种晶圆级尺寸二硒化铂金半边缘接触晶体管阵列及其外延生长制备方法
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