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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司
摘要：本申请提供一种金属互连结构的制备方法，包括：提供一半导体结构，半导体结构表面依次形成有第一阻挡层、低K介电层、缓冲层和硬掩膜层；刻蚀形成沟槽，沟槽底部露出金属互连层；在沟槽内壁形成扩散抑制层；通过电化学镀工艺在沟槽中形成主金属层；进行低温热退火工艺；进行高温热退火工艺；研磨去除部分主金属层、部分扩散抑制层以及硬掩膜层和缓冲层。本申请通过在电化学镀工艺之后以及在研磨工艺之前增一道高温热退火工艺，使得主金属层中的晶粒可以在后续第二阻挡层NDC层淀积前完成晶粒的重组，晶粒充分长大，充分释放空位扩散到主金属层表面并消失，以提高主金属层的应力迁移的可靠性。
主权项：1.一种金属互连结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一半导体结构，所述半导体结构中形成有金属互连层，所述半导体结构表面依次形成有堆叠的第一阻挡层、低K介电层、缓冲层和硬掩膜层，所述第一阻挡层覆盖所述金属互连层；刻蚀所述硬掩膜层、所述缓冲层、所述低K介电层、所述第一阻挡层至半导体结构表面，以形成沟槽，所述沟槽底部露出所述金属互连层；形成扩散抑制层，所述扩散抑制层覆盖所述沟槽的侧壁、底壁以及所述硬掩膜层表面；通过电化学镀工艺形成主金属层，所述主金属层覆盖所述扩散抑制层并且填充所述沟槽；进行电化学镀工艺中自带的低温热退火工艺；进行高温热退火工艺；研磨去除所述低K介电层表面的所述主金属层、所述扩散抑制层、所述硬掩膜层和所述缓冲层以及超出所述低K介电层表面的沟槽中的主金属层，以得到金属互连结构，所述金属互连结构由剩余主金属层、扩散抑制层和所述金属互连层构成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华虹半导体(无锡)有限公司 金属互连结构的制备方法
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