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申请/专利权人：北京科技大学
摘要：一种金刚石器件互连线的制备方法，属于超宽禁带半导体电子器件的加工与制备领域。其特征在于：设计电路版图，清洗金刚石衬底（110）；然后进行光刻工艺，制备器件单元（120）及互连区域（130）；在金刚石表面互连区域镀制金属催化剂（131）；在金刚石表面原位生长导电碳纳米材料（132）作为互连线。本发明在金刚石衬底上获得低阻且稳定的欧姆接触互连线，有效避免目前由超薄金属薄膜形成的互连线断裂后导致器件失效的限制；碳纳米材料互连线可在高温高压的条件下正常工作，能够满足金刚石器件未来工作环境的需求。所得互连线与金刚石衬底的接触电阻低，结合力强，且能耐高温高压工作环境，为未来金刚石基集成电路制备的后端工艺奠定了良好的基础。
主权项：1.一种金刚石器件互连线的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1）设计电路版图，清洗金刚石衬底（110）；2）进行光刻工艺，制备器件单元（120）及互连区域（130）；3）在金刚石表面互连区域镀制金属催化剂（131）；4）在金刚石衬底表面原位生长导电碳纳米材料（132），形成互连线。
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