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申请/专利权人：上海应用技术大学
摘要：本发明涉及一种钴作为阻挡层的铜互连抛光后清洗液及其制备方法和应用，属于化学机械抛光后清洗技术领域，包括以下质量分数的原料组分：生物可降解螯合剂0.04％‑0.5％、润湿剂0.02％‑0.5％、电位保护剂0.001％‑0.2％，其余为去离子水。与现有技术相比，本发明解决了在大型高密度集成电路制程中铜化学机械抛光后，线路表面有机物和磨料以及其他污染粒子残留的问题，在提高铜布线抛光后表面的清洁度的同时，降低清洗过程中铜与钴之间的电偶腐蚀风险，为后序工艺进行提供了更清洁的表面状态，提高了芯片的良品率。
主权项：1.一种钴作为阻挡层的铜互连抛光后清洗液，其特征在于，包括以下质量分数的原料组分：生物可降解螯合剂0.04％-0.5％、润湿剂0.02％-0.5％、电位保护剂0.001％-0.2％，其余为去离子水。
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权利要求：
百度查询： 上海应用技术大学 一种钴作为阻挡层的铜互连抛光后清洗液及其制备方法和应用
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