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申请/专利权人：森一量子科技(厦门)有限公司
摘要：本发明公开了一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法，包括籽晶的加工、籽晶换向处理、坩埚下降法生长二氧化碲单晶。其中籽晶的换向处理操作，是指用1‑10晶面作为长晶面，而不是传统的110晶面。本发明采用籽晶换向处理生长单晶，取代多次迭代消除缺陷的方式，提升晶棒的整体利用率以及籽晶品质，从而进一步提升TeO2单晶成品率，降低品质波动。
主权项：1.一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法，其特征在于，包括以下步骤：A.籽晶的加工：将晶棒切割成晶块，控制晶块的晶向偏差在0.5°以内，经过粗磨、细磨、抛光；同时，在粗磨、细磨、抛光的过程中控制切割液、研磨液和抛光液的温度，采用红外温度计，定期测量籽晶内部与外界的温差；抛光完成后得到所需的籽晶，采用激光器在暗室中进行内部质量筛选，采用记号笔在籽晶上标记出对应小角度晶界的分布位置和数量；B.籽晶进行换向处理操作，即将1-10面作为长晶面，内部小角度晶界垂直于[1-10]晶向或是平行于[110]晶向；C.将得到的籽晶按照长晶面朝上装入坩埚，二氧化碲原料置于所述籽晶上方，并对坩埚进行密封，随后放入晶体生长炉内，加热熔化所述二氧化碲原料及所述籽晶顶部，实现接种生长；D.按照坩埚下降法进行二氧化碲单晶的生长，控制固液界面的温度梯度以及所述坩埚的下降速率；生长阶段稳定后，采取系统温度补偿方式降低晶体生长过程中的加速度；原位退火处理得到所述二氧化碲单晶。
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权利要求：
百度查询： 森一量子科技(厦门)有限公司 一种消除二氧化碲单晶生长中小角度晶界缺陷产生的方法
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