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申请/专利权人：扬州国宇电子有限公司
摘要：本发明公开了功率半导体器件领域内的一种准垂直结构的硅基氮化镓SBD器件及其制备方法。该器件包括：Si衬底、N+型GaN传输层；N‑型GaN漂移层，呈叉指型设置于传输层上方；高阻区终端，设置于N‑型GaN漂移层上部周缘，高阻区终端通过在漂移层上部注入高能离子制备；介质层，设置于N‑型GaN漂移层上表面周缘；阴极金属层，覆盖N+型GaN传输层上表面、N‑型GaN漂移层侧壁、介质层侧壁、及介质层上表面部分区域；阳极金属层，设置于于N‑型GaN漂移层上表面，且被介质层包围。该SBD器件削弱了边缘电场强度，增加击穿电压，且改善了电流集边效应，增强整体正向电流密度，单位面积上的通态压降显著降低，从而有效提升器件可靠性。
主权项：1.一种准垂直结构的硅基氮化镓SBD器件，其特征在于，包括：Si衬底；AlNAlGaN缓冲层，设置于所述Si衬底上方；N+型GaN传输层，设置于所述AlNAlGaN缓冲层上方；N-型GaN漂移层，呈叉指型设置于所述N+型GaN传输层上方；高阻区终端，设置于所述N-型GaN漂移层上部周缘，所述高阻区终端通过在所述漂移层上部注入高能离子制备；介质层，设置于所述N-型GaN漂移层上表面周缘；阴极金属层，覆盖所述N+型GaN传输层上表面、所述N-型GaN漂移层侧壁、所述介质层侧壁、及所述介质层上表面部分区域；阳极金属层，设置于于所述N-型GaN漂移层上表面，且被所述介质层包围。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州国宇电子有限公司 一种准垂直结构的硅基氮化镓SBD器件及其制备方法
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