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多晶金刚石自立基板及其制备方法 

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申请/专利权人:胜高股份有限公司

摘要:提供正面的与异种基板的接合性和背面的散热性两者均优异的多晶金刚石自立基板。本发明的多晶金刚石自立基板100具有正面100A和背面100B。正面100A的金刚石粒子的平均粒径为1nm以上且100nm以下,背面100B的金刚石粒子的平均粒径为1000nm以上且4000nm以下,正面100A的算术平均粗糙度Ra为1nm以上且3nm以下,厚度为300μm以上且3mm以下。

主权项:1.层叠基板,其具有:具有正面和背面的多晶金刚石自立基板,和贴合在所述正面的SiC基板、GaN基板、Ga2O3基板或单晶金刚石基板,其中,对于所述多晶金刚石自立基板而言,所述正面的金刚石粒子的平均粒径为1nm以上且100nm以下,所述背面的金刚石粒子的平均粒径为1000nm以上且4000nm以下,所述正面的算术平均粗糙度Ra为1nm以上且3nm以下,所述多晶金刚石自立基板的厚度为300μm以上且3mm以下。

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权利要求:

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