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申请/专利权人：深圳市汇芯通信技术有限公司
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制备方法。半导体器件包括漂移层、P型调制层、电流阻挡层、沟道层、势垒层、第一沟槽、PGaN有源层、栅极、源极及漏极。P型调制层设于漂移层一侧表面的中部区域上；电流阻挡层位于P型调制层的外围；沟道层位于P型调制层和电流阻挡层背离漂移层的一侧，且沟道层覆盖P型调制层及部分电流阻挡层；第一沟槽贯穿沟道层和P型调制层；势垒层位于沟道层背离漂移层的一侧及第一沟槽中，位于沟道层背离漂移层的一侧的势垒层与沟道层形成异质结结构；PGaN有源层位于第一沟槽中；栅极位于PGaN有源层背离漂移层的一侧；源极至少位于电流阻挡层背离漂移层一侧，并与异质结结构接触。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：漂移层；P型调制层，设于所述漂移层在所述半导体器件的厚度方向上的一侧表面的中部区域上；电流阻挡层，与所述P型调制层设于所述漂移层的同一侧表面上，并位于所述P型调制层的外围；沟道层，位于所述P型调制层和所述电流阻挡层背离所述漂移层的一侧，且所述沟道层覆盖所述P型调制层以及靠近所述P型调制层的部分宽度的电流阻挡层；所述电流阻挡层包括与所述沟道层重叠的第一阻挡部，及位于所述第一阻挡部外围而与所述沟道层不重叠的第二阻挡部；第一沟槽，在所述半导体器件的厚度方向上贯穿所述沟道层和所述P型调制层；势垒层，位于所述沟道层背离所述漂移层的一侧以及所述第一沟槽中，位于所述沟道层背离所述漂移层的一侧的势垒层与所述沟道层形成异质结结构；PGaN有源层，位于所述第一沟槽中且与所述势垒层接触；栅极，位于所述PGaN有源层背离所述漂移层的一侧；源极，至少位于所述电流阻挡层的第二阻挡部背离所述漂移层一侧，并与所述异质结结构接触；漏极，位于所述漂移层背离所述异质结结构的一侧。
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权利要求：
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