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申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

摘要：本发明公开了一种超级闪存，器件单元包括位于源区顶部的第一栅极沟槽，在第一栅极沟槽的侧面自对准形成有第一侧墙结构，第一侧墙结构通过对第一隧穿介质层、浮栅和第二氧化层的叠加层自对准刻蚀形成。浮栅的材料包括TiN层。第一侧墙结构的第二侧面自对准形成有第二侧墙结构，第二侧墙结构通过对第三氮化硅层、第四氧化层和第五氮化硅层的叠加层自对准刻蚀形成。第二氧化层采用ALD氧化层。第四氧化层采用HTO氧化层。第三氮化硅层作为浮栅的保护层，以防止浮栅的TiN层被氧化。本发明还公开了一种超级闪存的制造方法。本发明能改善浮栅的TiN层的结构的连续性并从而改善器件的擦除性能。

主权项：1.一种超级闪存，其特征在于，器件单元位于存储区中，所述器件单元包括：第一栅极沟槽，形成于源区顶部且所述第一栅极沟槽的底部表面低于所述半导体衬底的顶部表面以及所述第一栅极沟槽的顶部表面高于所述半导体衬底的顶部表面；所述源区形成于所述第一栅极沟槽底部的所述半导体衬底表面区域中；在所述第一栅极沟槽的侧面自对准形成有第一侧墙结构，所述第一侧墙结构由第一叠加层自对准刻蚀形成，所述第一叠加层由第一隧穿介质层、浮栅和第二氧化层叠加而成，所述第一隧穿介质层形成于所述第一栅极沟槽的侧面和底部表面，所述浮栅形成于所述第一隧穿介质层的表面以及所述第二氧化层形成于所述浮栅的表面；所述浮栅的材料包括TiN层；所述第一侧墙结构的第二侧面由所述第二氧化层的第二侧面以及位于所述第二氧化层的第二侧面底部的所述浮栅和所述第一隧穿介质层的刻蚀面叠加而成；所述第一侧墙结构的所述第二侧面之间所述第一栅极沟槽的底部表面暴露；在所述第一侧墙结构的第二侧面自对准形成有第二侧墙结构，所述第二侧墙结构由第二叠加层自对准刻蚀形成，所述第二叠加层由第三氮化硅层、第四氧化层和第五氮化硅层叠加而成；所述第三氮化硅层形成于所述第一侧墙结构的第二侧面和所述第一栅极沟槽的底部表面，所述第四氧化层形成于所述第三氮化硅层的表面，所述第五氮化硅层形成于所述第四氧化层表面；所述第二侧墙结构的第二侧面由所述第五氮化硅层的第二侧面以及位于所述第五氮化硅层的第二侧面底部的所述第四氧化层和所述第三氮化硅层的刻蚀面叠加而成；所述第二侧墙结构的所述第二侧面之间所述第一栅极沟槽的底部表面暴露；所述第二氧化层采用ALD氧化层；所述第四氧化层采用HTO氧化层；所述第三氮化硅层作为所述浮栅的保护层，以防止所述浮栅的TiN层被氧化。

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