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申请/专利权人：扬州大学
摘要：本发明公开了一种高功率半导体激光巴条封装结构；属于半导体激光器封装领域，包括斜踢面阶梯型基础热沉、小通道结构、斜踢面阶梯型绝缘次热沉、正电极条、负电极条、半导体激光巴条及封装单元；本发明公开了一种高功率半导体激光巴条封装结构，该封装结构在保证激光器在输出高质量光束的同时，通过对封装单元进行错位阶梯排布，以改善巴条与巴条之间的热串扰问题，另外还增加了巴条的散热空间，进而有效降低了激光器芯片工作时的结温。本发明所提出的封装结构能有效提升芯片的散热效率，进而抑制由结温升高所引起的激光器波长红移、功率下降、阈值电流变大等问题。
主权项：1.一种高功率半导体激光巴条封装结构，其特征在于，包括斜踢面阶梯型基础热沉1，在所述斜踢面阶梯型基础热沉1上安置有相适配的斜踢面阶梯型绝缘次热沉3，在所述斜踢面阶梯型绝缘次热沉3上安置有若干的正电极条4及若干的负电极条5，在相邻的正电极条4与负电极条5之间均安置有半导体激光巴条6。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州大学 一种高功率半导体激光巴条封装结构
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