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申请/专利权人：武汉云岭光电股份有限公司
摘要：本发明涉及DFB半导体激光器技术领域，提供了一种波长可调谐半导体激光器，包括DFB激光器结构、波长调谐器结构以及隧道结结构，所述DFB激光器结构和所述波长调谐器结构通过所述隧道结结构集成，所述隧道结结构位于所述DFB激光器结构和所述波长调谐器结构之间，所述DFB激光器结构、所述隧道结结构以及所述波长调谐器结构沿高度方向叠设。本发明的一种波长可调谐半导体激光器，通过在高度方向叠设制作的方式，只需要一次外延生长即可得到可调谐激光器，简化了制作工艺，降低了成本。
主权项：1.一种波长可调谐半导体激光器，其特征在于：包括DFB激光器结构、波长调谐器结构以及隧道结结构，所述DFB激光器结构和所述波长调谐器结构通过所述隧道结结构集成，所述隧道结结构位于所述DFB激光器结构和所述波长调谐器结构之间，所述DFB激光器结构、所述隧道结结构以及所述波长调谐器结构沿高度方向叠设。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉云岭光电股份有限公司 一种波长可调谐半导体激光器
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